SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Mounting: SMD
Case: UF6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Mounting: SMD
Case: UF6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 22.64 грн |
27+ | 14.11 грн |
80+ | 10.95 грн |
219+ | 10.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6, Mounting: SMD, Case: UF6, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.2A, On-state resistance: 66mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.5W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 16.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM6K403TU,LF(T за ціною від 12.42 грн до 27.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6K403TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6 Mounting: SMD Case: UF6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A On-state resistance: 66mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
SSM6K403TU,LF(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 6-Pin UF T/R |
товар відсутній |