на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15000+ | 4.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K16FU(TE85L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції SSM3K16FU(TE85L,F) за ціною від 4.47 грн до 27.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 12090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 12090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70 Mounting: SMD Case: SC70 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SSM3K16FU(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.1A; 150mW; SC70 Mounting: SMD Case: SC70 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
товар відсутній |