Продукція > TOSHIBA > RN1910FE,LF(CT
RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT Toshiba

699docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1911fe.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Виробник: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 28000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT за ціною від 2.11 грн до 20.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.01 грн
24+ 12.3 грн
100+ 6.01 грн
500+ 4.7 грн
1000+ 3.27 грн
2000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN1911FE_datasheet_en_20211223-1150267.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.58 грн
22+ 14.87 грн
100+ 4.99 грн
1000+ 3.37 грн
4000+ 3.23 грн
8000+ 2.25 грн
24000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN1910FE,LF(CT Виробник : TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ
Case: ES6
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...700
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній
RN1910FE,LF(CT Виробник : TOSHIBA RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ
Case: ES6
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 120...700
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Mounting: SMD
товар відсутній