![RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/4/27/11/28/39/431/tos_/manual/es6.jpg)
RN1910FE,LF(CT Toshiba
![699docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1911fe.jsptypedatasheetlangenpi.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
28000+ | 1.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1910FE,LF(CT Toshiba
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції RN1910FE,LF(CT за ціною від 2.11 грн до 20.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 5555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
RN1910FE,LF(CT | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ Case: ES6 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...700 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
RN1910FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
RN1910FE,LF(CT | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.1W; ES6; 4.7kΩ Case: ES6 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 120...700 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.1W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Mounting: SMD |
товар відсутній |