Продукція > TOSHIBA > SSM3J334R,LF(T
SSM3J334R,LF(T

SSM3J334R,LF(T TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.25 грн
500+ 6.69 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J334R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SSM3J334R,LF(T за ціною від 4.42 грн до 33.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3J334R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.01 грн
50+ 7.75 грн
100+ 6.83 грн
130+ 6.34 грн
355+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 40
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3J334R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.01 грн
30+ 9.65 грн
100+ 8.2 грн
130+ 7.6 грн
355+ 7.18 грн
3000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j334r_datasheet_en_20181004.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 16810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
864+13.73 грн
945+ 12.54 грн
1101+ 10.77 грн
1165+ 9.81 грн
2000+ 8.52 грн
3000+ 8.12 грн
6000+ 7.68 грн
12000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 864
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622420.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.97 грн
32+ 24.12 грн
100+ 9.25 грн
500+ 6.69 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 23
SSM3J334R,LF(T SSM3J334R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j334r_datasheet_en_20181004.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній