SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.68 грн |
| 500+ | 7.11 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 5000+ | 4.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 4.2 грн до 36.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 13377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 10609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
SSM3J332R,LF(T Код товару: 170575 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 +2 |
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
+2 |
SSM3J332R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Case: SOT23F Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A On-state resistance: 144mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |