SSM3K339R
  • SSM3K339R
  • SSM3K339R

SSM3K339R TOSHIBA


SSM3K339R.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.2 грн
57+ 6.6 грн
100+ 5.83 грн
175+ 4.91 грн
481+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K339R TOSHIBA

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SSM3K339R за ціною від 5.57 грн до 13.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K339R
+1
SSM3K339R Виробник : TOSHIBA SSM3K339R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.44 грн
34+ 8.22 грн
100+ 7 грн
175+ 5.9 грн
481+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
SSM3K339R Виробник : Toshiba SSM3K339R_datasheet_en_20140221-1916303.pdf Toshiba
товар відсутній