на замовлення 11682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1806+ | 6.68 грн |
| 1866+ | 6.46 грн |
| 2500+ | 6.27 грн |
| 5000+ | 5.88 грн |
| 10000+ | 5.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AFS,LF(B Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: SC75, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.1A, On-state resistance: 6Ω, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM3K15AFS,LF(B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K15AFS,LF(B | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
товар відсутній |
|
| SSM3K15AFS,LF(B | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC75 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| SSM3K15AFS,LF(B | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 100mW; SC75 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC75 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |