SSM6J502NU,LF(T

SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Mounting: SMD, Case: uDFN6, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, On-state resistance: 60.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 24.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SSM6J502NU,LF(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J502NU Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Виробник : Toshiba ssm6j502nu_datasheet_en_20190627.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM6J502NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 60.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 24.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SSM6J502NU,LF(T SSM6J502NU,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM6J502NU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 60.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 24.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній