SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Mounting: SMD, Case: uDFN6, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, On-state resistance: 60.5mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 24.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM6J502NU,LF(T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
||
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Mounting: SMD Case: uDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 60.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 24.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Mounting: SMD Case: uDFN6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 60.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 24.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |