SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.25W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 11.2 грн |
45+ | 8.71 грн |
100+ | 7.83 грн |
115+ | 7.69 грн |
310+ | 7.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 1.25W, Case: uDFN6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції SSM6K504NU,LF(T за ціною від 8.35 грн до 13.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6K504NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1.25W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|