Продукція > IPP

IPP-2011

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	27752.33 грн

IPP-2014

Outline Coup. 90 Degree, .8-2.5 Ghz 200 W

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	5368.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2031

IPP-2031

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	4934.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP-2254

IPP-2254

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	19889.1 грн

IPP-3175

Directional Couplers With Connectors

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	109080.66 грн

IPP011N03LF2SAKSA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	135.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP011N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 940 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.31 грн
10+	207.37 грн
100+	167.94 грн
500+	147.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP011N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.62 грн
50+	189.77 грн
100+	162.66 грн
500+	135.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.26 грн
25+	123.67 грн
100+	101.91 грн
500+	100.51 грн
1000+	93.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

83+	145.62 грн

Мінімальне замовлення: 83

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP011N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 44A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	86.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.19 грн
50+	139.49 грн
100+	114.77 грн
500+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	158.42 грн
100+	109.65 грн
250+	101.21 грн
500+	92.07 грн
1000+	78.02 грн
2000+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP013N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP013N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 0.00102 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.94 грн
10+	154.54 грн
100+	113.54 грн
500+	95.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP013N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPP013N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

MOSFET

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	192.34 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP014N06NF2SAKMA2

SP005742469

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.58 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.19 грн
10+	213.67 грн
100+	172.67 грн
500+	150.82 грн
1000+	118.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	172.52 грн
10+	158.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP014N06NF2SAKMA2

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.22 грн
50+	195.53 грн
100+	167.59 грн
500+	139.8 грн
1000+	119.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	293.16 грн
10+	246.02 грн
25+	232.45 грн
100+	191.8 грн
250+	167.6 грн
500+	152 грн
1000+	128.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP014N06NF2SAKMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	190.86 грн
71+	170.76 грн
100+	169.76 грн
200+	160.79 грн
500+	143.5 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP014N06NF2SAKMA2

MOSFETs N

на замовлення 811 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.62 грн
10+	231.17 грн
25+	190.47 грн
100+	163.06 грн
250+	153.93 грн
500+	144.79 грн
1000+	123 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP014N08NM6AKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP014N08NM6AKSA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP015N04N G

Description: INFINEON - IPP015N04N G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	345.35 грн
10+	310.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04N G

на замовлення 3550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

на замовлення 922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	103.4 грн
50+	79.82 грн
100+	65.68 грн
500+	55.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1
Код товару: 202345

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1028 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.88 грн
10+	87.29 грн
100+	62.06 грн
500+	59.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.94 грн
10+	124.58 грн
100+	90.67 грн
500+	76.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP015N04NG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP015N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	335.88 грн
5+	248.16 грн
12+	226.67 грн
500+	217.89 грн

IPP015N04NGXKSA1

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.9 грн
5+	199.14 грн
12+	188.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	192.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP015N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	388.71 грн
10+	223.92 грн
100+	202.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP015N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	339.09 грн
50+	258.62 грн
100+	221.67 грн

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	304.4 грн
45+	267.95 грн
57+	204.86 грн
100+	179.45 грн
250+	170.93 грн
500+	144.35 грн

Мінімальне замовлення: 40

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	283.09 грн
10+	249.19 грн
25+	199.56 грн
50+	190.52 грн
100+	166.88 грн
250+	158.96 грн
500+	134.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP015N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3

на замовлення 678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.08 грн
10+	301.49 грн
25+	196.8 грн
100+	181.34 грн
500+	154.63 грн
1000+	151.82 грн

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	103.01 грн
10+	94.69 грн
100+	83.85 грн
500+	76.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	95.4 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPP016N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	88.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N06NF2SAKMA1
Код товару: 202346

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP016N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 194 A, 0.00142 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00142ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	205.79 грн
10+	152.17 грн
100+	138.77 грн
500+	117.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	110.94 грн
119+	101.97 грн
134+	90.3 грн
500+	82.44 грн

Мінімальне замовлення: 109

IPP016N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.72 грн
25+	147.11 грн
100+	115.97 грн
500+	115.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 267000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	145.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

106+	113.78 грн

Мінімальне замовлення: 106

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	113.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	260.98 грн
10+	234.96 грн
25+	209.73 грн
100+	171.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	168.03 грн
73+	167.01 грн
100+	162.91 грн
1000+	156.1 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP016N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.18 грн
50+	193.53 грн
100+	165.87 грн
500+	138.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP016N08NF2SAKMA1

SP005548844

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	100.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	130.99 грн
95+	127.37 грн
96+	126.73 грн
100+	117.01 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP016N08NF2SAKMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 1396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	121.63 грн
10+	118.27 грн
25+	117.68 грн
100+	108.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP017N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	392.65 грн
10+	343.77 грн
100+	284.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	306.33 грн
41+	298.38 грн
42+	293.88 грн
50+	263.47 грн
100+	233.33 грн
250+	220.14 грн

Мінімальне замовлення: 40

IPP018N10N5AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 474 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.65 грн
50+	332.47 грн
100+	284.98 грн

IPP018N10N5AKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP018N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.45 грн
10+	277.06 грн
25+	272.89 грн
50+	244.65 грн
100+	216.66 грн
250+	204.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP018N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	466.58 грн
10+	386.36 грн
25+	316.99 грн
100+	272.01 грн
250+	268.49 грн
500+	227.73 грн

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	309.94 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP018N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP018N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 205 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	513.29 грн
10+	369.79 грн
100+	313.02 грн
500+	246.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	325.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP018N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	435.65 грн
50+	332.47 грн
100+	284.98 грн
500+	237.73 грн

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

149+	81.12 грн

Мінімальне замовлення: 149

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	67.94 грн
184+	65.66 грн
194+	62.42 грн
500+	58.71 грн

Мінімальне замовлення: 178

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	50.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 185 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 559 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.25 грн
10+	129.31 грн
100+	94.62 грн
500+	79.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	60.97 грн
100+	57.96 грн
500+	54.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP019N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	146.74 грн
50+	113.54 грн
100+	93.41 грн
500+	74.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N06NF2SAKMA1
Код товару: 202347

товар відсутній

IPP019N06NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	159.9 грн
10+	131.75 грн
100+	90.67 грн
250+	84.34 грн
500+	76.61 грн
1000+	65.01 грн
2000+	61.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP019N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	68.17 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	199.2 грн
50+	151.88 грн
100+	130.18 грн
500+	108.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	196.72 грн
67+	182.38 грн
100+	171.1 грн
200+	164.01 грн
500+	139.05 грн
1000+	125.59 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP019N08NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 877 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.02 грн
10+	172.16 грн
25+	124.41 грн
100+	108.24 грн
250+	107.54 грн
500+	98.4 грн
1000+	89.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	113.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101.98 грн
2000+	100.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	83.89 грн
10+	63.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP019N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

товар відсутній

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	105.94 грн
750+	96.8 грн
1500+	90.08 грн
2250+	81.91 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP019N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A Tube

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	78.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP019N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1912 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.87 грн
10+	114.33 грн
100+	98.56 грн
500+	83.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP020N06N

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.6 грн
10+	223.9 грн
25+	183.45 грн
100+	157.44 грн
250+	148.3 грн
500+	139.87 грн
1000+	119.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	229.89 грн
57+	212.85 грн
63+	192.95 грн
100+	158.34 грн
250+	144.12 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP020N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	216.18 грн
10+	200.16 грн
25+	181.45 грн
100+	148.9 грн
250+	135.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.4 грн
10+	252.19 грн
25+	172.9 грн
100+	151.11 грн
250+	149.71 грн
500+	130.73 грн
1000+	123.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	249.38 грн
50+	190.24 грн
100+	163.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	330.48 грн
44+	279.25 грн
57+	212.95 грн
100+	204.38 грн
200+	178.48 грн
500+	150.68 грн
1000+	147.23 грн

Мінімальне замовлення: 37

IPP020N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP020N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP020N06NXKSA1

SP005573707

товар відсутній

IPP020N08N5

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	457.56 грн
10+	379.09 грн
25+	310.66 грн
100+	266.38 грн
250+	251.62 грн
500+	236.86 грн
1000+	202.42 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.87 грн
10+	327.21 грн
100+	287 грн
500+	238.68 грн
1000+	187.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	345.07 грн
10+	330.72 грн
25+	273.16 грн
100+	242.93 грн
250+	216.22 грн
500+	190.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	257.31 грн
51+	238.75 грн
100+	222.94 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPP020N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	413.28 грн
10+	391.21 грн
25+	268.49 грн
100+	246 грн
250+	235.46 грн
500+	215.78 грн
1000+	191.18 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	130.91 грн
100+	125.06 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	370.49 грн
34+	355.08 грн
42+	293.28 грн
100+	260.82 грн
250+	232.14 грн
500+	204.53 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.29 грн
10+	238.93 грн
25+	221.7 грн
100+	207.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP020N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	645.28 грн
3+	430.64 грн
7+	391.84 грн
250+	385.69 грн

IPP020N08N5AKSA1

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	537.73 грн
3+	345.57 грн
7+	326.54 грн

IPP020N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.21 грн
50+	321.6 грн
100+	275.66 грн
500+	229.95 грн

IPP020N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	485.17 грн
33+	374.68 грн
50+	339.52 грн
100+	309.96 грн
200+	272.65 грн
500+	246.25 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP020N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP020N08N5XKSA1

IPP020N08N5XKSA1

товар відсутній

IPP020N08N5XKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP022N12NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.82 грн
10+	416.27 грн
25+	328.23 грн
100+	301.53 грн
250+	283.95 грн
500+	266.38 грн
1000+	238.97 грн

IPP023N04NG

на замовлення 405 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	106 грн
168+	71.81 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP023N04NGXKSA1

MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3

на замовлення 3822 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.08 грн
10+	151.96 грн
100+	108.24 грн
500+	92.07 грн
1000+	78.72 грн
2500+	74.5 грн
5000+	70.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

77+	157.71 грн
89+	136.61 грн
100+	130.58 грн
200+	124.95 грн
500+	106.73 грн

Мінімальне замовлення: 77

IPP023N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP023N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	204.21 грн
10+	83.58 грн
100+	82 грн
500+	74.68 грн
1000+	67.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	98.89 грн
10+	66.99 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 206000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	89.05 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP023N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	187.97 грн
10+	186.1 грн
25+	147.67 грн
50+	140.96 грн
100+	110.86 грн
250+	105.34 грн
500+	104.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	203.91 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP023N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.1 грн
10+	149.81 грн
100+	147.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.34 грн
25+	152.77 грн
100+	115.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	144.02 грн
10+	142.6 грн
25+	125.44 грн
50+	119.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	202.43 грн
61+	200.42 грн
76+	159.03 грн
77+	151.8 грн
100+	119.39 грн
250+	113.45 грн
500+	112.34 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP023N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.95 грн
50+	138.01 грн
100+	118.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

SP005573709

товар відсутній

IPP023N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP023N10N5

на замовлення 21500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	399.34 грн
10+	330.59 грн
25+	272.01 грн
100+	232.65 грн
250+	229.83 грн
500+	194.69 грн
1000+	176.42 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	611.74 грн
26+	473.12 грн
50+	427.92 грн
100+	391.32 грн
200+	344.4 грн
500+	311.68 грн
1000+	294.46 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP023N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 750 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	505.94 грн
10+	418.69 грн
25+	326.83 грн
100+	282.55 грн
250+	267.09 грн
500+	252.33 грн
1000+	217.89 грн

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP023N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5AKSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 120A, TO-220-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	620.52 грн
10+	557.44 грн
100+	457.31 грн
500+	361.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	366.47 грн
50+	279.68 грн
100+	239.73 грн

IPP023N10N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP023N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

товар відсутній

IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.9 грн
10+	404.14 грн
25+	331.75 грн
100+	284.66 грн
250+	268.49 грн
500+	252.33 грн
1000+	224.21 грн

IPP023NE7N3G

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	550.39 грн
25+	494.55 грн
100+	405.18 грн
500+	332.59 грн
1000+	270.55 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	432.72 грн
10+	394.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 50 шт

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 665 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.18 грн
50+	348.09 грн
100+	298.36 грн

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	355.49 грн
10+	332.06 грн
100+	289.08 грн
500+	249.63 грн
1000+	209.27 грн
2500+	198.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451 грн
10+	417.08 грн
25+	341.59 грн
100+	293.79 грн
250+	276.93 грн
500+	256.54 грн

IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 1151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

201+	103.98 грн

Мінімальне замовлення: 201

IPP024N06N3G

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP024N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7248 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	170.68 грн
500+	168.97 грн
1000+	167.29 грн
2500+	159.69 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	445.64 грн
3+	369.51 грн
5+	249.51 грн
12+	235.46 грн
250+	231.06 грн

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	140.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	219.86 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

102+	205.65 грн

Мінімальне замовлення: 102

IPP024N06N3GXKSA1

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	371.37 грн
3+	296.52 грн
5+	207.93 грн
12+	196.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	159.23 грн
500+	157.63 грн
1000+	156.06 грн
2500+	148.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.17 грн
10+	174.25 грн
25+	159.27 грн
100+	132.52 грн
500+	106.78 грн
1000+	83.8 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	74.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205 грн
10+	198.03 грн
25+	139.17 грн
100+	119.49 грн
500+	108.24 грн
1000+	92.78 грн
2000+	85.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

74+	163.02 грн
85+	143.32 грн
88+	137.49 грн
102+	114.58 грн
250+	100.94 грн
500+	92.47 грн

Мінімальне замовлення: 74

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 258 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.55 грн
50+	143.9 грн
100+	123.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 1360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	203.89 грн
74+	164.96 грн
100+	153.69 грн
500+	131.41 грн
1000+	113.44 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

товар відсутній

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

на замовлення 256000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	108.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.52 грн
50+	86.91 грн
100+	68.87 грн
500+	54.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.67 грн
10+	99.35 грн
100+	74.04 грн
500+	57.99 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP026N04NF2SAKMA1

SP005632915

товар відсутній

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.54 грн
10+	97.8 грн
100+	66 грн
500+	55.67 грн
1000+	45.26 грн
2000+	42.66 грн
5000+	40.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	493.3 грн
26+	472.1 грн
50+	454.11 грн
100+	423.04 грн
250+	379.82 грн
500+	354.71 грн
1000+	346.03 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	223.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	204.38 грн
10+	203.71 грн
25+	172 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	101.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	185.23 грн

Мінімальне замовлення: 66

IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1014 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.98 грн
25+	184.29 грн
2000+	115.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	168.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.47 грн
50+	139.28 грн
100+	119.38 грн
500+	109.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	182.51 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPP027N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.82 грн
10+	197.68 грн
100+	159.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP027N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP027N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP028N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	478.88 грн
25+	374.24 грн
100+	273.41 грн
500+	242.49 грн
1000+	195.39 грн

IPP028N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3G

IFX

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP028N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 7895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP028N08N3GXKSA1

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	506.19 грн
10+	357.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	494.73 грн
10+	443.54 грн
25+	414.29 грн
50+	371.58 грн
100+	318.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06N

на замовлення 8 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.64 грн
10+	169.74 грн
100+	117.38 грн
250+	108.24 грн
500+	82.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.38 грн
10+	174.59 грн
100+	120.89 грн
250+	119.49 грн
500+	98.4 грн
1000+	79.42 грн
5000+	77.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	186.08 грн
10+	167.15 грн
25+	151.38 грн
100+	125.2 грн
500+	94.62 грн
1000+	73.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP029N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP029N06NXKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.81 грн
10+	171.1 грн
100+	125.37 грн
500+	106.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP029N06NXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	53.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP029N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP029N06NXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

248+	48.7 грн

Мінімальне замовлення: 248

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	31.78 грн
100+	30.8 грн
500+	28.59 грн
1000+	25.22 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 686 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.51 грн
50+	58.07 грн
100+	46.02 грн
500+	36.61 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.59 грн
10+	64.91 грн
100+	44.7 грн
500+	38.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP030N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1298 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	126.15 грн
10+	96.19 грн
100+	71.28 грн
500+	56.08 грн
1000+	39.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

353+	34.23 грн
364+	33.17 грн
500+	31.93 грн
1000+	29.33 грн

Мінімальне замовлення: 353

IPP030N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	45.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	32.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP030N06NF2SAKMA1
Код товару: 202348

товар відсутній

IPP030N10N

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP030N10N3 G

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP030N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

MOSFET MV POWER MOS

товар відсутній

IPP030N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	469.13 грн
10+	348.5 грн
100+	291.73 грн
500+	219.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP030N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	286.18 грн
10+	231.17 грн
25+	190.47 грн
100+	163.77 грн
250+	162.36 грн
500+	151.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	537.41 грн
31+	391.76 грн
50+	347.56 грн
100+	314.8 грн
200+	274.44 грн
500+	245.38 грн
1000+	230.75 грн
2000+	229.89 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP030N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 588 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.24 грн
10+	260.86 грн
100+	187.44 грн
500+	146.46 грн

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	242.66 грн
10+	238.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP030N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.75 грн
4+	276.75 грн
9+	261.38 грн

IPP030N10N3GXKSA1

на замовлення 29 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	528.9 грн
4+	344.87 грн
9+	313.65 грн

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	326.83 грн
10+	313.14 грн
25+	277.79 грн
50+	266.69 грн
100+	224.59 грн
250+	205.12 грн
500+	178.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP030N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 549 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	351.52 грн
36+	336.79 грн
41+	298.77 грн
50+	286.84 грн
100+	241.56 грн
250+	220.62 грн
500+	191.98 грн

Мінімальне замовлення: 35

IPP030N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	491.2 грн
32+	379.7 грн
50+	343.54 грн
100+	313.83 грн
200+	276.24 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPP030N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 120A TO220-3

на замовлення 476 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	388.68 грн
10+	349.99 грн
25+	256.54 грн
100+	227.02 грн
250+	219.29 грн
500+	205.23 грн
1000+	166.58 грн

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP030N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP030N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP032N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

127+	95.12 грн
131+	92.72 грн

Мінімальне замовлення: 127

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 92 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	72.23 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 47000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	85.92 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.72 грн
10+	74.72 грн
100+	70.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP032N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	125.32 грн
10+	105.51 грн
100+	91.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP032N06N3GXKSA1

N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	373.1 грн

IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3

на замовлення 1213 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.82 грн
10+	118.01 грн
100+	88.56 грн
500+	78.02 грн
1000+	67.33 грн
2500+	66 грн
5000+	65.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	135.63 грн
106+	114.18 грн
122+	99.37 грн

Мінімальне замовлення: 89

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP032N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3

на замовлення 87 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.04 грн
10+	103.23 грн
12+	76.45 грн
31+	72.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP032N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 2314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.51 грн
50+	128.93 грн
100+	106.09 грн
500+	84.24 грн
1000+	71.48 грн
2000+	67.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

159+	75.98 грн

Мінімальне замовлення: 159

IPP032N06N3GXKSA1

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	160.85 грн
10+	128.64 грн
12+	91.74 грн
31+	86.73 грн
1000+	86.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP032N06N3GXKSA1; 120A; 60V; 188W; 0.0029R; N-канальний; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)

на замовлення 16 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

7+	104.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1
Код товару: 202349

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.59 грн
10+	65.71 грн
100+	44.49 грн
500+	37.74 грн
1000+	30.64 грн
2000+	28.89 грн
5000+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
50+	58.02 грн
100+	45.98 грн
500+	36.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP033N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP033N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.88 грн
12+	69.15 грн
100+	49.91 грн
500+	39.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.26 грн
10+	91.34 грн
100+	66 грн
250+	58.06 грн
500+	54.4 грн
1000+	54.12 грн
2500+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03L G
Код товару: 202350

товар відсутній

IPP034N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

437+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 437

IPP034N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP034N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	55.64 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.27 грн
10+	65.13 грн
100+	58.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
50+	84.34 грн
100+	69.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP034N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

товар відсутній

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	69.7 грн
194+	62.42 грн

Мінімальне замовлення: 173

IPP034N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	128.52 грн
10+	93.04 грн
100+	65.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	77.69 грн
178+	67.93 грн
500+	67.06 грн

Мінімальне замовлення: 156

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	75.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP034N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

138+	87.39 грн
149+	81.16 грн
158+	76.34 грн
200+	69.55 грн
500+	64.22 грн

Мінімальне замовлення: 138

IPP034N03LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP034N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP034N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	215.25 грн
10+	156.9 грн
100+	129.31 грн
500+	109.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.06 грн
10+	155.19 грн
100+	119.49 грн
250+	118.78 грн
500+	102.62 грн
1000+	82.23 грн
5000+	80.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	118.56 грн
10+	108.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	101.6 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

78+	154.69 грн

Мінімальне замовлення: 78

IPP034N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.92 грн
50+	151.95 грн
100+	125.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

IPP034N08N5XKSA1

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034N08N5XKSA1

SP005573713

товар відсутній

IPP034NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.34 грн
25+	132.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3 G
Код товару: 182613

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
Монтаж: THT

у наявності 35 шт:

33 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	124 грн
10+	113 грн

IPP034NE7N3 G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3G

Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP034NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP034NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	156.6 грн
50+	123.76 грн
100+	115.05 грн
500+	105.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 666500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	146.38 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

66+	183.82 грн
78+	155.7 грн

Мінімальне замовлення: 66

IPP034NE7N3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	169.53 грн
90+	133.98 грн
100+	124.55 грн
500+	114.65 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP034NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.88 грн
3+	174.25 грн
6+	150.82 грн
16+	142.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.95 грн
50+	138.2 грн
100+	118.45 грн
500+	108.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	255.46 грн
3+	217.14 грн
6+	180.99 грн
16+	171.32 грн
250+	165.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP034NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	212.1 грн
10+	126.15 грн
100+	125.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP034NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.06 грн
10+	123.67 грн
100+	85.75 грн
500+	78.72 грн
1000+	58.13 грн
5000+	56.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N06L3GHKSA1

MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.04 грн
10+	110.38 грн
100+	93.83 грн
500+	73.95 грн
1000+	60.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

105+	115.12 грн
114+	106.56 грн
133+	90.86 грн
500+	72.65 грн
1000+	56.73 грн
2500+	52.46 грн
5000+	49.62 грн

Мінімальне замовлення: 105

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP037N06L3GXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP037N06L3GXKSA1 - IPP037N06 - 90A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N06L3GXKSA1

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.39 грн
10+	105.88 грн
100+	90.29 грн
500+	72.19 грн
1000+	56.37 грн
2500+	52.13 грн
5000+	49.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N08N3 G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP037N08N3 G E8181

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP037N08N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

на замовлення 144 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP037N08N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP037N08N3GE8181XKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP037N08N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3

на замовлення 3210 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	196.8 грн
10+	189.95 грн
25+	140.57 грн
100+	120.19 грн
500+	106.83 грн
1000+	85.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

60+	203.25 грн

Мінімальне замовлення: 60

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	188.74 грн
10+	185.04 грн
25+	158.05 грн
50+	152.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	140.03 грн
10+	137.44 грн
25+	122.87 грн
100+	106.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP037N08N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	221.4 грн
3+	191.6 грн
8+	141.45 грн
20+	133.54 грн
250+	131.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

72+	167.75 грн
83+	145.65 грн
100+	138.62 грн
200+	132.7 грн
500+	113.9 грн
1000+	103.32 грн

Мінімальне замовлення: 72

IPP037N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP037N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	213.67 грн
10+	160.85 грн
100+	137.19 грн
500+	113.48 грн
1000+	87.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

80+	152.23 грн
81+	149.41 грн
91+	133.57 грн
101+	115.44 грн

Мінімальне замовлення: 80

IPP037N08N3GXKSA1

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.75 грн
8+	117.88 грн
20+	111.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP037N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2173 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.08 грн
50+	145.04 грн
100+	124.32 грн
500+	103.7 грн
1000+	88.8 грн
2000+	83.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP037N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	172.77 грн
83+	145.65 грн
100+	137.62 грн
200+	131.73 грн
500+	110.32 грн

Мінімальне замовлення: 70

IPP039N04L G

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.88 грн
10+	87.29 грн
100+	60.02 грн
500+	56.23 грн
1000+	46.11 грн
5000+	43.93 грн
10000+	41.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP039N04LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

на замовлення 426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.64 грн
50+	79.36 грн
100+	62.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Power dissipation: 94W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	96.51 грн
10+	72.99 грн
18+	57.99 грн
49+	54.47 грн
500+	52.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP039N04LGXKSA1
Код товару: 202351

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP039N04LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	125.37 грн
10+	93.83 грн
100+	70.25 грн
500+	61.13 грн
1000+	46.23 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP039N04LGXKSA1

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	80.42 грн
10+	58.57 грн
18+	48.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	84.3 грн
10+	71.99 грн
100+	60.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	49.08 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N04LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	186.06 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP039N10N5AKSA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 466 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.68 грн
10+	219.85 грн
25+	183.45 грн
100+	157.44 грн
250+	149.01 грн
500+	126.51 грн
1000+	116.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP039N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP039N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	316.17 грн
10+	224.71 грн
100+	181.35 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP039N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP039N10N5XKSA1

IPP039N10N5XKSA1

товар відсутній

IPP03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP03N03LAG

08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP03N03LB G

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

товар відсутній

IPP03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP03N03LBG

08+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP0400N

Description: IPP0400N
Packaging: Bulk

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP0400NXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP0400NXKSA1 - IPP0400 - N-CHANNEL MOSFET
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 99000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

524+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 524

IPP0400NXKSA1

Description: IPP0400 - N-Channel MOSFET
Packaging: Bulk

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

544+	39.58 грн

Мінімальне замовлення: 544

IPP040N06N

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	152.52 грн
10+	125.28 грн
100+	87.15 грн
250+	82.23 грн
500+	69.3 грн
1000+	61.99 грн
2500+	58.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N
Код товару: 202352

товар відсутній

IPP040N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.54 грн
10+	132.56 грн
100+	91.37 грн
250+	84.34 грн
500+	76.61 грн
1000+	65.37 грн
2500+	62.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3 G

на замовлення 147000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3G

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXK

на замовлення 424 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	85.01 грн
10+	76.51 грн
100+	60.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.8 грн
10+	73.21 грн
13+	69.55 грн
34+	65.89 грн
250+	62.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06N3GXKSA1

Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C

на замовлення 83 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

3+	114.8 грн
10+	95.94 грн
100+	85.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.26 грн
50+	114.96 грн
100+	94.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	91.7 грн
147+	82.52 грн
185+	65.16 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	77.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06N3GXKSA1

на замовлення 569 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	99.45 грн
10+	87.86 грн
13+	83.46 грн
34+	79.07 грн
250+	75.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

174+	69.41 грн
183+	66.2 грн
205+	59.06 грн
213+	54.72 грн
500+	50.58 грн
1000+	45.21 грн

Мінімальне замовлення: 174

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 673 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.44 грн
10+	101.04 грн
500+	79.42 грн
1000+	60.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	115.9 грн
10+	94.62 грн
100+	67.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N06N3GXKSA1 транзистор
Код товару: 202066

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	72.34 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP040N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.8 грн
10+	125.28 грн
100+	88.56 грн
500+	75.21 грн
1000+	58.9 грн
5000+	57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.52 грн
10+	125.37 грн
100+	93.83 грн
500+	73.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	127.57 грн
102+	118.53 грн
120+	100.45 грн
200+	91.63 грн

Мінімальне замовлення: 95

IPP040N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	91.37 грн
145+	83.41 грн
159+	76.17 грн
500+	66.39 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP040N06NAKSA1

товар відсутній

IPP040N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.9 грн
50+	108.2 грн
100+	89.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	85.19 грн
10+	77.78 грн
100+	71.02 грн
500+	61.9 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.76 грн
10+	78.97 грн
100+	53.49 грн
500+	45.26 грн
1000+	36.9 грн
2000+	34.72 грн
5000+	33.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 876 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	106.44 грн
10+	82 грн
100+	60 грн
500+	47.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	61.57 грн
100+	51.91 грн
500+	45.48 грн
1000+	35.8 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	49.4 грн
14+	45.82 грн
100+	41.48 грн
500+	36.85 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	49.35 грн
270+	44.67 грн
500+	41.15 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

183+	65.95 грн
217+	55.61 грн
500+	48.71 грн
1000+	38.34 грн

Мінімальне замовлення: 183

IPP040N06NF2SAKMA1

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 52µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.48 грн
50+	69.55 грн
100+	55.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	27.55 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 49000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	41.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N06NF2SAKMA1
Код товару: 202353

товар відсутній

IPP040N06NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

IPP040N06NXKSA1

товар відсутній

IPP040N06NXKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	99.81 грн
200+	96.91 грн
750+	94.74 грн

Мінімальне замовлення: 121

IPP040N08NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.3 грн
10+	78.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

товар відсутній

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

168+	71.89 грн

Мінімальне замовлення: 168

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 208000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	86.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	127.73 грн
10+	104.87 грн
25+	93.83 грн
100+	76.14 грн
500+	62.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	83.85 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	66.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP040N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.85 грн
50+	90.96 грн
100+	74.85 грн
500+	63.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP040N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube

на замовлення 377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	91.5 грн
134+	89.96 грн
200+	84.47 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPP041N04N G

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 886 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.94 грн
10+	76.71 грн
100+	52.64 грн
500+	48.57 грн
1000+	34.09 грн
5000+	32.47 грн
10000+	32.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N04NG

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N04NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP041N04NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

176+	68.79 грн
207+	58.24 грн
500+	51.59 грн

Мінімальне замовлення: 176

IPP041N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.48 грн
10+	87.52 грн
100+	65.6 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	74.52 грн
10+	64.17 грн
100+	54.34 грн
500+	46.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP041N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 773500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	44.62 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP041N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.2 грн
50+	68.37 грн
100+	54.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP041N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 5007 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.66 грн
10+	280.48 грн
25+	229.83 грн
100+	197.5 грн
250+	186.26 грн
500+	174.31 грн
1000+	149.71 грн

IPP041N12N3G

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP041N12N3GXK

MOSFET N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 44 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	299.34 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	618.85 грн
28+	433.41 грн
50+	384.22 грн
100+	354.69 грн
200+	309.21 грн
500+	267.85 грн
1000+	243.27 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	266.39 грн
10+	252.46 грн
25+	248.22 грн
100+	215 грн
500+	190.82 грн
1000+	172.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.5 грн
50+	352.15 грн
100+	301.84 грн
500+	251.79 грн

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP041N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.1 грн
10+	353.22 грн
25+	231.94 грн
100+	212.97 грн
250+	211.56 грн
500+	186.26 грн
1000+	141.27 грн

IPP041N12N3GXKSA1

товар відсутній

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2223 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	268.1 грн
48+	254.07 грн
49+	249.81 грн
100+	216.38 грн
500+	192.04 грн
1000+	173.66 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP041N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 29 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.29 грн
10+	283.93 грн
25+	278.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP041N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP041N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	510.92 грн
10+	305.13 грн
100+	279.12 грн
500+	246.73 грн
1000+	202.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP042N03L G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 11455 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	108.24 грн
10+	87.29 грн
100+	59.39 грн
500+	36.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP042N03LG

TO-220 0741+

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP042N03LG

Description: IPP042N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 71180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP042N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP042N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 70A TO220-3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.66 грн
10+	69.93 грн
50+	68.59 грн
100+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.98 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP042N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82 грн
6+	68.09 грн
17+	51.98 грн
45+	49.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP042N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	119.06 грн
10+	89.1 грн
100+	66.94 грн
500+	53.89 грн
1000+	42.1 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP042N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP042N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	74.91 грн
165+	73.47 грн
197+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 161

IPP042N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	102.64 грн
10+	81.05 грн
100+	63.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP042N03LGXKSA1

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	98.4 грн
5+	84.85 грн
17+	62.38 грн
45+	58.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP045N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 4983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.32 грн
10+	187.52 грн
25+	153.93 грн
100+	132.14 грн
250+	129.33 грн
500+	109.65 грн
1000+	99.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	191.36 грн
66+	184.07 грн
100+	177.82 грн
250+	166.27 грн
500+	149.76 грн

Мінімальне замовлення: 63

IPP045N10N3 G

на замовлення 86450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3G

на замовлення 254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP045N10N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP045N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.1 грн
3+	175.71 грн
7+	134.71 грн
18+	127.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0039 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.73 грн
10+	140.35 грн
100+	137.98 грн
500+	114.21 грн
1000+	89.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	119.31 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

97+	124.56 грн
100+	121.54 грн

Мінімальне замовлення: 97

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G TIPP045n10n3g
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

10+	130.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	151.93 грн
10+	149.28 грн
25+	120.32 грн
100+	112.86 грн
500+	96.81 грн
1000+	62.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP045N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 2519 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.84 грн
50+	160.24 грн
100+	137.35 грн
500+	114.58 грн
1000+	98.11 грн
2000+	92.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

на замовлення 42 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	254.52 грн
3+	218.97 грн
7+	161.66 грн
18+	152.87 грн
250+	151.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 6695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.08 грн
10+	192.37 грн
25+	107.54 грн
100+	98.4 грн
500+	94.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	117.53 грн
106+	114.51 грн

Мінімальне замовлення: 103

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

154+	78.56 грн

Мінімальне замовлення: 154

IPP045N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.62 грн
10+	94.32 грн
25+	88.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP048N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP048N04N G
Код товару: 83952

товар відсутній

IPP048N04NG

Description: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1
Код товару: 202354

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	56.14 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	59.78 грн
500+	59.18 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP048N04NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	64.06 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP048N04NGXKSA1

товар відсутній

IPP048N04NGXKSA1

MOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.08 грн
10+	96.99 грн
100+	67.33 грн
250+	61.92 грн
500+	54.33 грн
1000+	53.28 грн
2500+	52.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP048N06LG

08+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP048N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 427 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	258.3 грн
10+	253.8 грн
25+	184.85 грн
100+	167.28 грн
500+	153.22 грн
1000+	123.7 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	452.99 грн
30+	404.39 грн
31+	395.19 грн
50+	372.3 грн
100+	288.79 грн
500+	221.56 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP048N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V

на замовлення 1405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	331.49 грн
10+	268.26 грн
100+	216.99 грн
500+	181.01 грн
1000+	154.99 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.01 грн
10+	246.99 грн
25+	244.06 грн
50+	226.21 грн
100+	190.48 грн
250+	168.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	270.73 грн
49+	248.57 грн
50+	245.62 грн
52+	227.66 грн
100+	191.69 грн
250+	169.34 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	225.01 грн
57+	212.63 грн
59+	200.31 грн
100+	174.28 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	107.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP048N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	301.19 грн
10+	209.73 грн
100+	196.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	143.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP048N12N3GXKSA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	321.69 грн
3+	274.62 грн
5+	217.01 грн
13+	205.59 грн

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	185.7 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP048N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	208.94 грн
10+	198.41 грн
25+	197.44 грн
50+	186 грн
100+	161.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP04CN10NG

07+ DIP

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04CN10NG

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP04CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Description: MV POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	441.16 грн
10+	390.4 грн
100+	278.33 грн
500+	226.32 грн

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP04CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP04N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP04N03LBG

INF

07+;

на замовлення 17600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP04N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

IPP050N03LF2SAKSA1

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP050N03LF2SAKSA1

MOSFETs N

товар відсутній

IPP050N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	90.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.37 грн
50+	92.09 грн
100+	75.77 грн
500+	64.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP050N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.96 грн
10+	170.31 грн
100+	141.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	132.59 грн
98+	123.55 грн

Мінімальне замовлення: 91

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	59.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954

товар відсутній

IPP050N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	97.06 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPP050N10NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	214.02 грн
10+	181.06 грн
25+	145.49 грн
100+	125.11 грн
500+	111.05 грн
1000+	94.89 грн
2000+	89.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5

MOSFETs TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 8500 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

1+	488.72 грн
10+	458.3 грн
25+	328.94 грн
100+	275.52 грн
500+	243.19 грн
1000+	202.42 грн
2500+	201.72 грн

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	547.45 грн
29+	422.89 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP051N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP051N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	392.73 грн
36+	342.26 грн
100+	288.73 грн

Мінімальне замовлення: 31

IPP051N15N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.48 грн
10+	326.46 грн
100+	264.1 грн

IPP051N15N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	445.48 грн
10+	389.5 грн
100+	322.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

MOSFETs Y

товар відсутній

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	364.76 грн
10+	317.88 грн
100+	268.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP051N15N5XKSA1

IPP051N15N5XKSA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	571.56 грн
26+	479.15 грн
50+	424.9 грн
100+	381.64 грн
200+	352.47 грн
500+	337.51 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP052N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 210 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

3+	126.28 грн
10+	104.27 грн
100+	71.69 грн
250+	66.7 грн
500+	60.16 грн
1000+	52.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3G

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP052N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 115
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 115
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

112+	108.49 грн
122+	99.04 грн
150+	80.56 грн
200+	72.65 грн
500+	67.09 грн
1000+	57.26 грн

Мінімальне замовлення: 112

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

114+	106.12 грн
115+	105.69 грн
139+	86.92 грн
500+	70.82 грн

Мінімальне замовлення: 114

IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 115W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 5.2mΩ
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 93 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	95.8 грн
10+	81.71 грн
15+	71.16 грн
40+	67.65 грн
250+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N06L3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 739 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	120.62 грн
10+	98.94 грн
50+	98.54 грн
100+	78.14 грн
500+	61.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.88 грн
10+	68.09 грн
15+	59.3 грн
40+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP052N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 12

IPP052N08N5

на замовлення 5500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 125W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3

на замовлення 534 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.26 грн
10+	92.95 грн
100+	66.7 грн
500+	62.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 4313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.26 грн
10+	92.84 грн
100+	64.14 грн
500+	57.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.93 грн
107+	113.69 грн
120+	101.23 грн
250+	96.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	211.07 грн
71+	171.1 грн
100+	159.84 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	112.29 грн
10+	105.56 грн
100+	94 грн
250+	89.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

товар відсутній

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.53 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052N08N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.87 грн
10+	107.23 грн
100+	78.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	190.21 грн
100+	152.86 грн
500+	125.59 грн

Мінімальне замовлення: 64

IPP052N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.38 грн
10+	199.65 грн
25+	144.79 грн
100+	124.41 грн
250+	123 грн
500+	107.54 грн
1000+	88.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP052NE7N3G

Description: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP052NE7N3G

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP052NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	186.08 грн
8+	113.48 грн
21+	107.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	208.94 грн
10+	145.87 грн
100+	124.58 грн
500+	101.04 грн
1000+	76.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP052NE7N3GXKSA1

на замовлення 98 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	223.29 грн
8+	141.42 грн
21+	129.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	105.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	113.37 грн

Мінімальне замовлення: 107

IPP052NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V

на замовлення 4982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.44 грн
50+	151.73 грн
100+	130.06 грн
500+	108.49 грн
1000+	92.9 грн
2000+	87.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.5 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP052NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 6500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	112.53 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP054NE8NGHKSA2

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.02 грн
10+	73.07 грн
100+	49.48 грн
500+	41.82 грн
1000+	34.09 грн
2500+	32.12 грн
5000+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LG

08+

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

товар відсутній

IPP055N03LGHKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP055N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	99.35 грн
10+	78.83 грн
20+	52.36 грн
50+	52.28 грн
54+	49.46 грн
250+	49.2 грн
500+	47.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.76 грн
10+	75.9 грн
100+	51.52 грн
500+	37.67 грн
1000+	34.65 грн
10000+	34.44 грн
25000+	34.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.79 грн
10+	63.26 грн
20+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP055N03LGXKSA1

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.13 грн
11+	73.25 грн
100+	53.62 грн
500+	42.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 972 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPP055N08NF2SAKMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.68 грн
10+	80.42 грн
100+	57.42 грн
1000+	53.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.7 грн
12+	54.2 грн
100+	50.85 грн
500+	48.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

194+	62.14 грн
207+	58.37 грн
221+	54.77 грн
500+	52.51 грн

Мінімальне замовлення: 194

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP055N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0048 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	89.1 грн
12+	66.86 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 272000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	68.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	96.73 грн
135+	89.8 грн
152+	79.36 грн
200+	72.26 грн
500+	66.73 грн
1000+	58.98 грн

Мінімальне замовлення: 125

IPP055N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP055N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.52 грн
50+	72.12 грн
100+	59.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N06N3
Код товару: 113416

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 80 A
Rds(on), Ohm: 5,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/61
Монтаж: THT

товар відсутній

IPP057N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.38 грн
10+	106.69 грн
100+	73.8 грн
250+	71.69 грн
500+	62.06 грн
1000+	53.14 грн
2500+	50.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0047 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	142.71 грн
10+	107.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 233 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

3+	102.18 грн
10+	86.98 грн
15+	71.16 грн
40+	67.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.13 грн
50+	93.11 грн
100+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.38 грн
10+	107.5 грн
100+	74.5 грн
250+	70.29 грн
500+	62.06 грн
1000+	50.47 грн
2500+	49.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N06N3GXKSA1

на замовлення 233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82 грн
10+	72.48 грн
15+	59.3 грн
40+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 348 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

189+	63.93 грн
204+	59.31 грн
250+	58.97 грн

Мінімальне замовлення: 189

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	56.4 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	39.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	73.24 грн
10+	63.52 грн
100+	58.93 грн
250+	56.5 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

272+	44.47 грн
285+	42.42 грн
289+	41.8 грн

Мінімальне замовлення: 272

IPP057N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	204.18 грн
10+	167.32 грн
100+	116.67 грн
250+	107.54 грн
500+	96.99 грн
1000+	84.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP057N08N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

93+	130.18 грн
120+	101.25 грн
500+	86.07 грн

Мінімальне замовлення: 93

IPP057N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 730 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	186.27 грн
50+	144.13 грн
100+	118.59 грн
500+	94.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	157.7 грн
10+	142.73 грн
100+	92.83 грн
250+	88.62 грн
500+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP057N08N3GXKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	150.06 грн
10+	113.16 грн
100+	88.56 грн
500+	80.83 грн
1000+	76.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	99.44 грн
10+	86.16 грн
100+	81.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP057N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.4 грн
10+	123.79 грн
100+	108.02 грн
500+	90.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

113+	107.09 грн
130+	92.79 грн
137+	88.1 грн

Мінімальне замовлення: 113

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 138 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	170.08 грн
88+	137.3 грн
100+	129.1 грн
500+	109.66 грн
1000+	95.14 грн
2000+	88.7 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPP057N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10L G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10N

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10N G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

на замовлення 687 шт:

термін постачання 325-334 дні (днів)

2+	263.22 грн
10+	233.59 грн
100+	166.58 грн
500+	161.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP05CN10NG

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05CN10NGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

товар відсутній

IPP05CN10NGXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP05CN10NGXKSA1

товар відсутній

IPP05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP05N03LBG

07+

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP05N03LBGXK

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP060N06N

Description: IPP060N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP060N06N

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.72 грн
10+	96.99 грн
100+	66 грн
500+	55.81 грн
1000+	45.4 грн
2500+	44.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.48 грн
50+	84.28 грн
100+	69.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	56.36 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP060N06NAKSA1 IPP060N06N TIPP060n06n
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPP060N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP060N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.31 грн
10+	98.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP060N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 45A TO220-3

на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.9 грн
10+	94.57 грн
100+	67.33 грн
250+	64.45 грн
500+	57.63 грн
1000+	52.78 грн
2500+	52.5 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	97.94 грн
136+	89.2 грн
167+	72.52 грн
200+	65.48 грн
500+	60.45 грн
1000+	51.49 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1
Код товару: 202357

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP060N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPP062NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.7 грн
10+	157.62 грн
100+	108.94 грн
250+	100.51 грн
500+	91.37 грн
1000+	78.72 грн
2500+	74.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP062NE7N3G

Description: IPP062NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP062NE7N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPP062NE7N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 37.5 V

товар відсутній

IPP062NE7N3GXKSA1

товар відсутній

IPP065N03LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

866+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 866

IPP065N03LGHKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N03LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

742+	27.98 грн

Мінімальне замовлення: 742

IPP065N04N G

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPP065N04N G

MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPP065N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

952+	27.35 грн

Мінімальне замовлення: 952

IPP065N04NGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP065N06LG

INF

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP065N06LGAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP065N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP069N20NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 711 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	629.76 грн
10+	531.85 грн
25+	432.96 грн
100+	385.87 грн
250+	378.84 грн
500+	347.21 грн
1000+	292.39 грн

IPP069N20NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	590.75 грн
10+	487.46 грн
100+	406.21 грн
500+	336.36 грн

IPP06CN10L

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP06CN10L G

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 50 V

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

208+	101.78 грн

Мінімальне замовлення: 208

IPP06CN10LGHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP06CN10LGXK

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CN10LGXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.14 грн
10+	59.9 грн
25+	52.5 грн
50+	47.46 грн
100+	40.34 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPP06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP06CN10NGXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP06CNE8N G

Description: MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

товар відсутній

IPP06N03LA

MOSFET N-Ch 25V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP06N03LAHKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06L G

MOSFET Discrete Semiconductor Products MOSFETs, GaNFETs - Single - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

товар відсутній

IPP070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06LG

INF

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LG

08+

на замовлення 100000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP070N06LGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06LGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP070N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP070N06N G

MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N06NGAKSA1

MOSFET

товар відсутній

IPP070N06NGIN

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IPP070N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3 G

Description: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

товар відсутній

IPP070N08N3 G

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP070N08N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 400

IPP070N08N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP070N08N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP070N08N3GXKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 7700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

310+	68.77 грн

Мінімальне замовлення: 310

IPP070N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP072N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.82 грн
10+	134.98 грн
100+	93.48 грн
250+	86.45 грн
500+	78.72 грн
1000+	68.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3

товар відсутній

IPP072N10N3GXK

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 218000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	99.82 грн

Мінімальне замовлення: 500

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	124.82 грн
10+	108.72 грн
100+	91.15 грн
500+	70.43 грн
1000+	57.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPP072N10N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	165.64 грн
10+	135.79 грн
100+	94.18 грн
500+	78.72 грн
1000+	63.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	187.5 грн
80+	151.64 грн
100+	142.42 грн
500+	121.52 грн
1000+	105.21 грн
2000+	98.36 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPP072N10N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	154.34 грн
50+	119.62 грн
100+	98.42 грн
500+	78.16 грн
1000+	66.31 грн
2000+	63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP072N10N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 7.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.52 грн
9+	95.6 грн
24+	90.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP072N10N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1074 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.9 грн
10+	157.69 грн
25+	141.92 грн
100+	117.88 грн
500+	86.51 грн
1000+	67.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP072N10N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	125.61 грн
111+	109.42 грн
132+	91.73 грн
500+	70.88 грн
1000+	57.41 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPP072N10N3GXKSA1

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	189.23 грн
3+	165.14 грн
9+	114.72 грн
24+	108.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 459 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.78 грн
10+	182.67 грн
100+	129.33 грн
500+	106.13 грн
1000+	86.45 грн
5000+	83.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP073N13NM6AKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP073N13NM6AKSA1

Trans MOSFET N-CH 135V 15A Tube

товар відсутній

IPP075N15N3 G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	440.15 грн
29+	421.23 грн
50+	405.18 грн
100+	377.46 грн
250+	338.9 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP075N15N3 G

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	332.1 грн
10+	274.82 грн
25+	225.62 грн
100+	193.29 грн
250+	182.04 грн
500+	172.2 грн
1000+	146.9 грн

IPP075N15N3G

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3G

на замовлення 24500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP075N15N3GHKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPP075N15N3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	456.33 грн
32+	378.54 грн
100+	299.29 грн
500+	245.61 грн
1000+	205.54 грн
2500+	189.73 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP075N15N3GXKSA1
Код товару: 122947

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP075N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.63 грн
10+	324.06 грн
100+	267.29 грн
500+	217.45 грн
1000+	179.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	309.44 грн
50+	236.16 грн
100+	202.42 грн
500+	168.85 грн

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 2580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	462.75 грн
10+	388.74 грн
25+	383.87 грн
100+	303.5 грн
500+	249.06 грн
1000+	208.43 грн
2500+	192.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	542.43 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPP075N15N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP075N15N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	410.82 грн
10+	392.02 грн
25+	283.95 грн
100+	246 грн
250+	243.89 грн
500+	219.99 грн
1000+	184.85 грн

IPP076N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.5 грн
10+	193.18 грн
25+	133.54 грн
100+	118.78 грн
250+	112.46 грн
500+	111.75 грн
1000+	94.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3 G

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N12N3G

Description: IPP076N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	436.48 грн
44+	277.66 грн
54+	224.39 грн
100+	202.54 грн
500+	150.03 грн

Мінімальне замовлення: 28

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	238.03 грн
57+	215.2 грн
100+	178.88 грн

Мінімальне замовлення: 51

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	221.02 грн
10+	199.83 грн
100+	166.1 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	195.48 грн
10+	179.19 грн
100+	153.15 грн
500+	146.1 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPP076N12N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 60 V

на замовлення 274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.69 грн
10+	191.09 грн
100+	154.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	196.73 грн
67+	180.33 грн
100+	154.13 грн
500+	147.03 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPP076N12N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	233.32 грн
56+	216.34 грн
100+	185.26 грн
500+	160.81 грн

Мінімальне замовлення: 52

IPP076N12N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0065 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP076N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPP076N15N5

на замовлення 38500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 642 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	460.04 грн
31+	390.37 грн
50+	297.13 грн
200+	268.74 грн
500+	218.64 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPP076N15N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 79A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 79A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	298.3 грн
44+	274.43 грн
45+	271.78 грн
100+	239.52 грн

Мінімальне замовлення: 41

IPP076N15N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 56A, 10
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	296.52 грн
50+	226.42 грн
100+	194.07 грн
500+	161.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	403.69 грн
36+	342.21 грн
50+	260.25 грн
200+	236.14 грн
500+	192.11 грн
1000+	180.04 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	250.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	412.37 грн
10+	309.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

MOSFETs N

на замовлення 2517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	318.98 грн
25+	249.76 грн
100+	186.26 грн
500+	164.47 грн
2500+	161.66 грн
5000+	132.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	565.57 грн
24+	509.47 грн
25+	507.44 грн
50+	463.75 грн
100+	354.72 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	284.23 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPP076N15N5AKSA1

товар відсутній

IPP076N15N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 150V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 176 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	276.99 грн
10+	254.83 грн
25+	252.36 грн
100+	222.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP07N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP07N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03L G

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP080N03L G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPP080N03LG

07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPP080N06N G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP080N06NGXK

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP082N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 77 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

товар відсутній

IPP082N10NF2SAKMA1

MOSFETs N

на замовлення 1083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.9 грн
10+	72.5 грн
100+	49.55 грн
250+	48.22 грн
500+	47.65 грн
1000+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 266000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

224+	53.95 грн

Мінімальне замовлення: 224

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	48.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPP082N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.24 грн
50+	85.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

230+	52.53 грн

Мінімальне замовлення: 230

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	44.53 грн
18+	33.6 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPP082N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

334+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 334

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	97.29 грн
138+	87.46 грн
156+	77.58 грн

Мінімальне замовлення: 124

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	90.81 грн
143+	84.38 грн
170+	71.12 грн
200+	64.8 грн
500+	59.83 грн

Мінімальне замовлення: 133

IPP083N10N5AKSA1

Description: INFINEON - IPP083N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.0073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 73
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-Ch 100V 73A TO220-3

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.5 грн
10+	113.16 грн
100+	79.42 грн
500+	66.7 грн
1000+	54.19 грн
5000+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPP083N10N5AKSA1
Код товару: 166075

товар відсутній

IPP083N10N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	90.34 грн
10+	81.21 грн
100+	72.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP083N10N5AKSA1

товар відсутній

IPP084N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GXK

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

140+	86.35 грн

Мінімальне замовлення: 140

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

IPP084N06L3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V

на замовлення 1664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

380+	55.26 грн

Мінімальне замовлення: 380

IPP084N06L3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	85.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPP084N06L3GXKSA1