IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 366.47 грн |
50+ | 279.68 грн |
100+ | 239.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP023N10N5XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPP023N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
IPP023N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IPP023N10N5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |