IPP048N12N3GXKSA1

IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+106.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP048N12N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP048N12N3GXKSA1 за ціною від 144.14 грн до 328.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+144.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+209.45 грн
10+ 198.9 грн
25+ 197.93 грн
50+ 186.46 грн
100+ 162.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+225.56 грн
57+ 213.15 грн
59+ 200.8 грн
100+ 174.71 грн
Мінімальне замовлення: 54
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.67 грн
10+ 247.59 грн
25+ 244.65 грн
50+ 226.76 грн
100+ 190.95 грн
250+ 168.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+271.39 грн
49+ 249.18 грн
50+ 246.22 грн
52+ 228.21 грн
100+ 192.16 грн
250+ 169.75 грн
Мінімальне замовлення: 45
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+298.65 грн
10+ 207.96 грн
100+ 194.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.97 грн
3+ 272.3 грн
5+ 215.17 грн
13+ 203.85 грн
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP048N12N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a771dd317cc5 Description: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+328.69 грн
10+ 265.99 грн
100+ 215.16 грн
500+ 179.48 грн
1000+ 153.68 грн
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp048n12n3g_rev2.1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a771d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP048N12N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a771dd317cc5 MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній