![IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2589b4bf69c0c5c212fd10cdefc20b3606faf856/infineon-package-to-220.jpg)
IPP083N10N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 91.66 грн |
10+ | 82.4 грн |
100+ | 73.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP083N10N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP083N10N5AKSA1 за ціною від 52.76 грн до 144.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP083N10N5AKSA1 Код товару: 166075 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP083N10N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 100W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |