IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції IPP040N06N3GXKSA1 за ціною від 45.32 грн до 147.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
на замовлення 83 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Код товару: 202066 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP040N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |