![IPP026N04NF2SAKMA1 IPP026N04NF2SAKMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2668/MFG_IPP011N04NF2SAKMA1.jpg)
IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPP026N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce566401833b43474c5666](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.93 грн |
50+ | 87.22 грн |
100+ | 69.12 грн |
500+ | 54.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH PG-TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IPP026N04NF2SAKMA1 за ціною від 40.77 грн до 132.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |