IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP023NE7N3GXKSA1 за ціною від 103.98 грн до 452.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 50 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |