Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP023N08N5AKSA1
IPP023N08N5AKSA1

IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+144.37 грн
10+ 142.95 грн
25+ 125.74 грн
50+ 120.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP023N08N5AKSA1 за ціною від 104.57 грн до 210.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.42 грн
50+ 136.84 грн
100+ 117.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+188.43 грн
10+ 186.56 грн
25+ 148.03 грн
50+ 141.3 грн
100+ 111.13 грн
250+ 105.6 грн
500+ 104.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP023N08N5_DS_v02_00_EN-1227118.pdf MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.7 грн
25+ 151.47 грн
100+ 114.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+202.92 грн
61+ 200.91 грн
76+ 159.42 грн
77+ 152.17 грн
100+ 119.68 грн
250+ 113.72 грн
500+ 112.62 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+204.41 грн
Мінімальне замовлення: 60
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000250427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+210.3 грн
10+ 148.54 грн
100+ 146.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній