![IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N06NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP040N06NAKSA1 за ціною від 57.21 грн до 170.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP040N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |