IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 216.71 грн |
| 10+ | 200.65 грн |
| 25+ | 181.89 грн |
| 100+ | 149.26 грн |
| 250+ | 135.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP020N06NAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 120, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 214, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP020N06NAKSA1 за ціною від 111.51 грн до 331.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 214 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 214 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP020N06NAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |