![IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 48.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP072N10N3GXKSA1 за ціною від 57.19 грн до 196.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 218000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 7.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 7.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP072N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |