на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.3 грн |
10+ | 78.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP040N08NF2SAKMA1 за ціною від 60.84 грн до 127.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP040N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 115 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP040N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 22A Tube |
товар відсутній |