Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP023N04NGXKSA1
IPP023N04NGXKSA1

IPP023N04NGXKSA1 Infineon Technologies

ipb023n04n_rev1.21.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP023N04NGXKSA1 за ціною від 66.74 грн до 202.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+89.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+99.13 грн
10+ 67.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+106.26 грн
168+ 71.98 грн
Мінімальне замовлення: 114
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
77+158.09 грн
89+ 136.95 грн
100+ 130.9 грн
200+ 125.26 грн
500+ 106.99 грн
Мінімальне замовлення: 77
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB023N04N_DS_v01_02_en-1226912.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3
на замовлення 3822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.39 грн
10+ 150.67 грн
100+ 107.32 грн
500+ 91.3 грн
1000+ 78.05 грн
2500+ 73.87 грн
5000+ 69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+202.48 грн
10+ 82.87 грн
100+ 81.31 грн
500+ 74.05 грн
1000+ 66.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb023n04n_rev1.21.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB023N04N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f000f097121 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товар відсутній
IPP023N04NGXKSA1 IPP023N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній