Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP055N03LGXKSA1
IPP055N03LGXKSA1

IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies

ipp055n03l_rev2.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP055N03LGXKSA1 за ціною від 34.01 грн до 99.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3-1
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.18 грн
10+ 57.35 грн
20+ 42.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3-1
Power dissipation: 68W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.82 грн
10+ 71.47 грн
20+ 51.4 грн
54+ 48.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP055N03L_rev1_04-1732316.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.94 грн
10+ 75.26 грн
100+ 51.08 грн
500+ 37.35 грн
1000+ 34.36 грн
10000+ 34.15 грн
25000+ 34.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : INFINEON INFNS16319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP055N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.29 грн
11+ 72.63 грн
100+ 53.16 грн
500+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP055N03LGXKSA1
Код товару: 202356 		IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipp055n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товар відсутній