![IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP052NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP052NE7N3GXKSA1 за ціною від 76.37 грн до 223.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V |
на замовлення 4982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 150W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP052NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |