![IPP016N08NF2SAKMA1 IPP016N08NF2SAKMA1](https://www.mouser.com/images/infineon/lrg/TO-220-3_SPL_t.jpg)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.72 грн |
25+ | 147.11 грн |
100+ | 115.97 грн |
500+ | 115.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP016N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 0.0014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP016N08NF2SAKMA1 за ціною від 100.86 грн до 260.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 Код товару: 183516 |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 80 V Idd,A: 196 A Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |