Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1

IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies

ipb041n04n_rev2.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP041N04NGXKSA1 за ціною від 44.62 грн до 117.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 773500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
176+68.79 грн
207+ 58.24 грн
500+ 51.59 грн
Мінімальне замовлення: 176
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+74.52 грн
10+ 64.17 грн
100+ 54.34 грн
500+ 46.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.08 грн
50+ 75.53 грн
100+ 59.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 Description: INFINEON - IPP041N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+117.48 грн
10+ 87.52 грн
100+ 65.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb041n04n_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPB041N04N_DS_v02_00_en-3360270.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній