![IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 484.59 грн |
25+ | 405.53 грн |
100+ | 291.31 грн |
500+ | 256.46 грн |
1000+ | 218.13 грн |
2500+ | 217.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP051N15N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V.
Інші пропозиції IPP051N15N5AKSA1 за ціною від 423.93 грн до 548.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
IPP051N15N5AKSA1 Код товару: 197743 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||
![]() |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 115A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||
IPP051N15N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 115A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |