![IPP045N10N3 G IPP045N10N3 G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/ba8ed22db0cd875f0395173bb930afe419063993/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP045N10N3 G Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 194.16 грн |
66+ | 186.77 грн |
100+ | 180.42 грн |
250+ | 168.7 грн |
500+ | 151.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP045N10N3 G Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP045N10N3 G за ціною від 100.17 грн до 227.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP045N10N3 G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP045N10N3 G | Виробник : Infineon |
на замовлення 86450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IPP045N10N3G | Виробник : Infineon technologies |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IPP045N10N3G | Виробник : Infineon Technologies |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V |
товар відсутній |