Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (136443) > Сторінка 2223 з 2275

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1362 1589 1816 2043 2218 2219 2220 2221 2222 2223 2224 2225 2226 2227 2228 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP40R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Application: frequency changer; Inverter
Case: AG-ECONO2-5
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 80A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Power dissipation: 210W
товар відсутній
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.23 грн
25+ 31.96 грн
39+ 22.26 грн
107+ 21.01 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7425pbf.pdf irf7425pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.22 грн
7+ 59.52 грн
18+ 47.76 грн
50+ 44.82 грн
500+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.78 грн
7+ 141.08 грн
17+ 133.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA524N6.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
товар відсутній
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BTS640S2G  BTS640S2G  INFINEON TECHNOLOGIES BTS640S2G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.66 грн
5+ 204.27 грн
12+ 193.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2183SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.65 грн
BSP752T  BSP752T  INFINEON TECHNOLOGIES BSP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
товар відсутній
IDH12G65C5 IDH12G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES IDH12G65C5-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 83A
Leakage current: 2.4µA
Power dissipation: 104W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Case: PG-TO220-2
товар відсутній
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS2103WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOD323; 250mW; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 250V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.03 грн
35+ 10.51 грн
44+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRS2103PBF IRS2103PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Power: 1W
Supply voltage: 10...20V DC
товар відсутній
IRS2103SPBF IRS2103SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2103.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Case: SO8
Power: 625mW
Supply voltage: 10...20V DC
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R900P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS116E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.18 грн
125+ 3.5 грн
250+ 3.09 грн
325+ 2.68 грн
875+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.87 грн
40+ 9.85 грн
100+ 8.67 грн
115+ 7.64 грн
310+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.1 грн
10+ 52.32 грн
23+ 38.99 грн
61+ 36.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.68 грн
9+ 44.23 грн
25+ 39.02 грн
26+ 34.02 грн
70+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
BCR401WH6327XTSA1
+1
 		BCR401WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCR401W.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Mounting: SMD
Case: SOT343
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.2...18V
Output current: 10...60mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
товар відсутній
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA17N80C3-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPB17N80C3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+371.91 грн
4+ 265.26 грн
9+ 250.56 грн
250+ 241.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+329.18 грн
3+ 274.07 грн
4+ 265.26 грн
9+ 250.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.17 грн
3+ 308.61 грн
8+ 291.71 грн
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9120npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.56 грн
10+ 37.69 грн
12+ 31.3 грн
31+ 28.66 грн
83+ 27.04 грн
500+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.17 грн
10+ 88.17 грн
27+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.63 грн
10+ 65.62 грн
20+ 43.43 грн
55+ 41.07 грн
1000+ 39.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.04 грн
6+ 72.74 грн
16+ 55.84 грн
43+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp1405pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp140n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED diode x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO150N03MDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT62E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 20mA; SOT143; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.86 грн
19+ 19.91 грн
100+ 13.08 грн
102+ 8.45 грн
281+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
BAT6804E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.31 грн
25+ 16.68 грн
68+ 12.73 грн
186+ 12.04 грн
500+ 11.9 грн
3000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT323; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.83 грн
25+ 23.81 грн
44+ 19.69 грн
121+ 18.66 грн
500+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT68E6327HTSA1 BAT68E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6804E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+22.71 грн
39+ 9.63 грн
100+ 8.52 грн
115+ 7.49 грн
316+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: THT
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Voltage class: 600V
Case: DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.46 грн
7+ 136.67 грн
18+ 129.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.05 грн
5+ 133 грн
9+ 102.13 грн
23+ 96.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.11 грн
3+ 174.14 грн
7+ 133.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.58 грн
5+ 152.1 грн
8+ 119.03 грн
20+ 112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGO60R070D1AUMA1 IGO60R070D1AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGO60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGOT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGT60R190D1SATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 55.5W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 7.7mA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.81 грн
2+ 627.5 грн
4+ 592.97 грн
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz24nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ340N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
товар відсутній
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+357.67 грн
5+ 213.09 грн
12+ 201.33 грн
100+ 199.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Power: 1W
Case: DIP8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.64 грн
8+ 122.71 грн
20+ 116.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.78 грн
5+ 91.85 грн
13+ 72.01 грн
34+ 67.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.75 грн
8+ 112.42 грн
22+ 106.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.76 грн
5+ 139.61 грн
8+ 108.01 грн
22+ 102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BC847PNH6327XTSA1 BC847PNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.61 грн
55+ 7.13 грн
160+ 5.44 грн
435+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
BC847PNH6433XTMA1 BC847PNH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC846PNH6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товар відсутній
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.6 грн
10+ 43.21 грн
40+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.19 грн
25+ 17.56 грн
63+ 13.81 грн
172+ 13.08 грн
250+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.19 грн
12+ 31.15 грн
49+ 17.71 грн
135+ 16.75 грн
500+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.7 грн
20+ 18.81 грн
50+ 11.39 грн
100+ 9.92 грн
159+ 5.44 грн
435+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Application: frequency changer; Inverter
Case: AG-ECONO2-5
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 80A
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Power dissipation: 210W
товар відсутній
BSC0906NSATMA1 BSC0906NS-DTE.pdf
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.23 грн
25+ 31.96 грн
39+ 22.26 грн
107+ 21.01 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7425TRPBF irf7425pbf.pdf irf7425pbf.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+71.22 грн
7+ 59.52 грн
18+ 47.76 грн
50+ 44.82 грн
500+ 44.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.78 грн
7+ 141.08 грн
17+ 133.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGA524N6E6327XTSA1 BGA524N6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: low noise
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
товар відсутній
IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6-DTE.pdf
IPP60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BTS640S2G  BTS640S2G.pdf
BTS640S2G 
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.66 грн
5+ 204.27 грн
12+ 193.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2183SPBF IR2183SPBF.pdf
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.65 грн
BSP752T  BSP752T.pdf
BSP752T 
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
товар відсутній
IDH12G65C5 IDH12G65C5-DTE.pdf
IDH12G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 104W; PG-TO220-2
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 83A
Leakage current: 2.4µA
Power dissipation: 104W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Case: PG-TO220-2
товар відсутній
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1.pdf
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOD323; 250mW; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 250V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+15.03 грн
35+ 10.51 грн
44+ 8.46 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRS2103PBF irs2103.pdf
IRS2103PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Power: 1W
Supply voltage: 10...20V DC
товар відсутній
IRS2103SPBF irs2103.pdf
IRS2103SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Case: SO8
Power: 625mW
Supply voltage: 10...20V DC
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1 IPN70R900P7S.pdf
IPN70R900P7SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327.pdf
BAS116E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+4.18 грн
125+ 3.5 грн
250+ 3.09 грн
325+ 2.68 грн
875+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.87 грн
40+ 9.85 грн
100+ 8.67 грн
115+ 7.64 грн
310+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+64.1 грн
10+ 52.32 грн
23+ 38.99 грн
61+ 36.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+65.68 грн
9+ 44.23 грн
25+ 39.02 грн
26+ 34.02 грн
70+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
BCR401WH6327XTSA1 BCR401W.pdf
BCR401WH6327XTSA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Mounting: SMD
Case: SOT343
Topology: single transistor
Operating voltage: 1.2...18V
Output current: 10...60mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
товар відсутній
SPA17N80C3 description SPA17N80C3-DTE.pdf
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SPB17N80C3 SPB17N80C3-DTE.pdf
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+371.91 грн
4+ 265.26 грн
9+ 250.56 грн
250+ 241.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+329.18 грн
3+ 274.07 грн
4+ 265.26 грн
9+ 250.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+458.17 грн
3+ 308.61 грн
8+ 291.71 грн
IRFR9120NTRLPBF irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFR9120NTRPBF description irfr9120npbf.pdf
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.56 грн
10+ 37.69 грн
12+ 31.3 грн
31+ 28.66 грн
83+ 27.04 грн
500+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+166.17 грн
10+ 88.17 грн
27+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+88.63 грн
10+ 65.62 грн
20+ 43.43 грн
55+ 41.07 грн
1000+ 39.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Case: D2PAK
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+87.04 грн
6+ 72.74 грн
16+ 55.84 грн
43+ 52.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFP1405PBF irfp1405pbf.pdf
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP140NPBF irfp140n.pdf
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED diode x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDG-DTE.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDG-DTE.pdf
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1.pdf
BAT62E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 20mA; SOT143; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT143
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+30.86 грн
19+ 19.91 грн
100+ 13.08 грн
102+ 8.45 грн
281+ 8.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
BAT6804E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT6804E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+30.31 грн
25+ 16.68 грн
68+ 12.73 грн
186+ 12.04 грн
500+ 11.9 грн
3000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT323; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT323
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.83 грн
25+ 23.81 грн
44+ 19.69 грн
121+ 18.66 грн
500+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 14
BAT68E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1.pdf
BAT68E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 8V; 0.13A; SOT23; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+22.71 грн
39+ 9.63 грн
100+ 8.52 грн
115+ 7.49 грн
316+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: THT
Supply voltage: 9...20V DC
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Voltage class: 600V
Case: DIP8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+176.46 грн
7+ 136.67 грн
18+ 129.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR21271SPBF IR21271SPBF.pdf
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+159.05 грн
5+ 133 грн
9+ 102.13 грн
23+ 96.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.11 грн
3+ 174.14 грн
7+ 133.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+183.58 грн
5+ 152.1 грн
8+ 119.03 грн
20+ 112.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGO60R070D1AUMA1 IGO60R070D1.pdf
IGO60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1.pdf
IGT60R070D1ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1.pdf
IGT60R190D1SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 55.5W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 7.7mA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+781.81 грн
2+ 627.5 грн
4+ 592.97 грн
IRLZ24NSTRLPBF irlz24nspbf.pdf
IRLZ24NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ340N08NS3G-DTE.pdf
BSZ340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
товар відсутній
IRFP3077PBF irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+357.67 грн
5+ 213.09 грн
12+ 201.33 грн
100+ 199.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Power: 1W
Case: DIP8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.64 грн
8+ 122.71 грн
20+ 116.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+110.78 грн
5+ 91.85 грн
13+ 72.01 грн
34+ 67.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.75 грн
8+ 112.42 грн
22+ 106.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+167.76 грн
5+ 139.61 грн
8+ 108.01 грн
22+ 102.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
BC847PNH6327XTSA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.61 грн
55+ 7.13 грн
160+ 5.44 грн
435+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
BC847PNH6433XTMA1 BC846PNH6327.pdf
BC847PNH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товар відсутній
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1.pdf
BSP125H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+54.6 грн
10+ 43.21 грн
40+ 21.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+23.19 грн
25+ 17.56 грн
63+ 13.81 грн
172+ 13.08 грн
250+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.19 грн
12+ 31.15 грн
49+ 17.71 грн
135+ 16.75 грн
500+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+27.7 грн
20+ 18.81 грн
50+ 11.39 грн
100+ 9.92 грн
159+ 5.44 грн
435+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1362 1589 1816 2043 2218 2219 2220 2221 2222 2223 2224 2225 2226 2227 2228 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]