![IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2981531-40.jpg)
IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON
![INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 976.12 грн |
50+ | 812.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IGOT60R070D1AUMA1 за ціною від 812.68 грн до 1346.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PG-DSO-20 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 20mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-87 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||
IGOT60R070D1AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A Type of transistor: N-JFET Technology: CoolGaN™ Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 125W Case: PG-DSO-20 Gate-source voltage: -10V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate current: 20mA |
товар відсутній |