IRLR7843TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 31.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR7843TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 0.0026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 161A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLR7843TRPBF за ціною від 29.88 грн до 104.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V |
на замовлення 24783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 0.0026 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC |
на замовлення 11137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
DPAK |
на замовлення 80 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRLR7843TRPBF Код товару: 113284 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRLR7843TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |