![IR2117PBF IR2117PBF](/img/DIP8-300.jpg)
IR2117PBF
![ir2117.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 40686
Виробник: IRКорпус: DIP-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10...20 V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Примітка: Single channel driver
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності 42 шт:
23 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 62 грн |
10+ | 55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IR2117PBF за ціною від 91.13 грн до 273 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: DIP8 Output current: -420...200mA Power: 1W Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 125ns Turn-off time: 105ns |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Case: DIP8 Output current: -420...200mA Power: 1W Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 125ns Turn-off time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2117PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: IR2117(S); IR2118(S) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
IR2117S Код товару: 3395 |
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SO-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 17 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 49.5 грн |
STB9NK50ZT4 Код товару: 2225 |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності: 167 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 19.9 грн |
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годинник) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 11465 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 407 шт
очікується:
600 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 11.9 грн |
1000+ | 10.5 грн |
10uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 14518 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1808 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
16+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
IRFR420 Код товару: 18228 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252A
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252A
Uds,V: 500 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 360/19
Монтаж: SMD
у наявності: 71 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22.5 грн |
10+ | 19.8 грн |