Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0906NSATMA1
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC0906NSATMA1 за ціною від 13.83 грн до 62.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+16.85 грн
10000+ 15.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+26.07 грн
25+ 24.74 грн
27+ 22.67 грн
100+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.06 грн
250+ 22.71 грн
1000+ 16.09 грн
3000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
452+27.11 грн
473+ 25.89 грн
475+ 25.79 грн
531+ 22.21 грн
1000+ 19.75 грн
2000+ 18.87 грн
5000+ 17.65 грн
10000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 452
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: INFINEON - BSC0906NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63 A, 0.0038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.33 грн
50+ 27.06 грн
250+ 22.71 грн
1000+ 16.09 грн
3000+ 14.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC0906NS_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f0130986c816b2f8c Description: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V
на замовлення 10882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.55 грн
10+ 39.09 грн
100+ 27.04 грн
500+ 21.2 грн
1000+ 18.04 грн
2000+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.23 грн
25+ 31.96 грн
39+ 22.26 грн
107+ 21.01 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC0906NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.67 грн
25+ 39.83 грн
39+ 26.72 грн
107+ 25.22 грн
1000+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc0906ns-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC0906NS_DataSheet_v02_06_EN-3361152.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній