![IPP60R280P6XKSA1 IPP60R280P6XKSA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.93 грн |
10+ | 156.56 грн |
100+ | 107.92 грн |
250+ | 99.46 грн |
500+ | 90.29 грн |
1000+ | 77.59 грн |
2500+ | 73.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R280P6XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R280P6XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R280P6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |