Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF630NPBF
IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Код товару: 15961
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності 144 шт:
62 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
47 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF630NPBF за ціною від 16.37 грн до 79.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.11 грн
100+ 20.62 грн
500+ 19.24 грн
1000+ 17.22 грн
2000+ 16.37 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
508+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 508
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
443+26.76 грн
482+ 24.59 грн
498+ 23.8 грн
518+ 22.09 грн
1000+ 19.75 грн
2000+ 18.2 грн
4000+ 17.52 грн
8000+ 17.43 грн
Мінімальне замовлення: 443
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
415+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 415
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.62 грн
21+ 28.58 грн
100+ 27.7 грн
500+ 25.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+45.7 грн
288+ 41.24 грн
500+ 36.11 грн
1000+ 30.76 грн
2000+ 28.2 грн
5000+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 260
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+48.2 грн
14+ 42.44 грн
100+ 38.29 грн
500+ 32.34 грн
1000+ 26.44 грн
2000+ 25.13 грн
5000+ 24.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62.18 грн
22+ 37.46 грн
60+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+68.51 грн
207+ 57.39 грн
500+ 46.6 грн
1000+ 39.17 грн
2000+ 34.31 грн
5000+ 31.56 грн
10000+ 30.55 грн
25000+ 30.48 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.14 грн
10+ 58.77 грн
100+ 42.79 грн
500+ 34.75 грн
1000+ 30.28 грн
2000+ 28.66 грн
5000+ 27.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.62 грн
22+ 46.68 грн
60+ 42.5 грн
500+ 40.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 130394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+75.83 грн
10+ 63.55 грн
100+ 53.23 грн
500+ 41.69 грн
1000+ 33.64 грн
2000+ 30.55 грн
5000+ 29.28 грн
10000+ 28.35 грн
25000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 7701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.05 грн
50+ 58.85 грн
100+ 46.64 грн
500+ 37.11 грн
1000+ 30.23 грн
2000+ 28.45 грн
5000+ 26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+79.62 грн
12+ 63.55 грн
100+ 49.22 грн
500+ 37.04 грн
1000+ 31.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630NPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 TO-220AB
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF630NPBF IRF630NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

NE555P
Код товару: 26138		 description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fse555
NE555P
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1723 шт
очікується: 18 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
1000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
1N4148
Код товару: 176824		 1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 13856 шт
Кількість Ціна без ПДВ
14+1.5 грн
34+ 0.6 грн
100+ 0.4 грн
1000+ 0.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 15969		 ECR_081225.pdf
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 250 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 22х30mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 33 шт
очікується: 200 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+33 грн
10+ 29.7 грн
100+ 26.9 грн
LM358P
Код товару: 24924		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0...+70°C
К-сть каналів: 2
у наявності: 390 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+7 грн
10+ 6 грн
100+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBL410
Код товару: 111370		 kbl400-datasheet.pdf
KBL410
Виробник: Yangjie/SEP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: KBL
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 4 A
Тип діодного моста: Однофазний
Може замінити:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
у наявності: 1212 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+8.5 грн
10+ 7.6 грн
100+ 6.8 грн
1000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 3