Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD06N80C3ATMA1
SPD06N80C3ATMA1

SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies

5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SPD06N80C3ATMA1 за ціною від 55.17 грн до 172.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.67 грн
5000+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS28122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.65 грн
50+ 69.62 грн
100+ 68.6 грн
500+ 62.74 грн
1000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS28122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD06N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.25 грн
500+ 75.41 грн
1000+ 58.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+127.57 грн
113+ 107.48 грн
119+ 101.45 грн
200+ 96.86 грн
500+ 81.89 грн
1000+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 95
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.61 грн
10+ 109.75 грн
100+ 87.37 грн
500+ 69.38 грн
1000+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.79 грн
10+ 71.08 грн
25+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFETs N
на замовлення 32076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.96 грн
10+ 88.1 грн
100+ 67.33 грн
500+ 60.45 грн
1000+ 55.53 грн
2500+ 55.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+172.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD06N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній