BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 18.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSZ340N08NS3GATMA1 за ціною від 17.71 грн до 66.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V |
на замовлення 43141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 18678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 82521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |