![SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/5/485863/smn_/manual/sot23.jpg_472149771.jpg)
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції SMBT2222AE6327HTSA1 за ціною від 1.53 грн до 25.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 61500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 64224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 64224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 61500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 352570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 163807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
SMBT2222AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz |
товар відсутній |