SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: -, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції SMBT2907AE6327HTSA1 за ціною від 2.51 грн до 24.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 16972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: - rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 16972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 29390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A |
на замовлення 79412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
SMBT2907AE6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz |
товар відсутній |