Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Name: SI4435DYTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 71397-7
Price: 16.29 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 4000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4435DYTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI4435DYTRPBF за ціною від 20.63 грн до 74.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	24.73 грн
8000+	22.79 грн
12000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 4000

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	25.19 грн
8000+	23.1 грн
12000+	22.04 грн
28000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 4000

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	26.43 грн
8000+	24.37 грн
12000+	24.31 грн

Мінімальне замовлення: 4000

SI4435DYTRPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0002255708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	45.34 грн
250+	38.93 грн
1000+	28.44 грн
2000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
234+	52.42 грн
235+	52.22 грн
290+	42.24 грн
301+	39.29 грн
500+	23.14 грн

Мінімальне замовлення: 234

SI4435DYTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	56.97 грн
10+	44.38 грн
37+	23.37 грн
102+	22.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	58.66 грн
13+	48.68 грн
25+	48.49 грн
100+	37.83 грн
250+	33.78 грн
500+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V

на замовлення 40161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	61.04 грн
10+	47.98 грн
100+	37.32 грн
500+	29.69 грн
1000+	24.18 грн
2000+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4435DYTRPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
13+	61.33 грн
50+	45.34 грн
250+	38.93 грн
1000+	28.44 грн
2000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 13

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
187+	65.43 грн
189+	64.82 грн
233+	52.7 грн
245+	48.16 грн
500+	28.85 грн
1000+	25.94 грн
4000+	23.41 грн

Мінімальне замовлення: 187

SI4435DYTRPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 219 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	68.37 грн
10+	55.31 грн
37+	28.04 грн
102+	26.54 грн
4000+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

на замовлення 6565 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	74.23 грн
10+	57.68 грн
100+	40.28 грн
500+	34.56 грн
1000+	27.23 грн
2000+	26.03 грн
4000+	25.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4435DYTRPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

товар відсутній