![SPB20N60C3 SPB20N60C3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5A/7E/00/00/0/59301_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=c99dc3dbc3e6eb906d24139a932a6965e4c37aad)
SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.2 грн |
5+ | 187.2 грн |
13+ | 176.8 грн |
100+ | 173.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20.7A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SPB20N60C3 за ціною від 176.15 грн до 419.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPB20N60C3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPB20N60C3 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|