Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SPD04N80C3ATMA1 за ціною від 42.8 грн до 125.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.04 грн
5000+ 47.3 грн
12500+ 45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+75.21 грн
162+ 74.81 грн
183+ 65.9 грн
250+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 161
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.38 грн
10+ 69.84 грн
25+ 69.46 грн
100+ 59.01 грн
250+ 43.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 2332025.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 5287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+77.03 грн
500+ 61.06 грн
1000+ 48.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPD04N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363800.pdf MOSFETs N
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.68 грн
10+ 85.68 грн
100+ 56.93 грн
250+ 56.86 грн
500+ 51.8 грн
1000+ 47.44 грн
2500+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON 4320257.pdf Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.29 грн
50+ 87.52 грн
100+ 71.43 грн
500+ 58.57 грн
1000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 21405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.29 грн
10+ 90.49 грн
100+ 72.06 грн
500+ 57.22 грн
1000+ 48.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-spd04n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+125.56 грн
98+ 123.55 грн
123+ 98.14 грн
200+ 90.28 грн
500+ 57.67 грн
1000+ 46.58 грн
2000+ 45.21 грн
2500+ 44.69 грн
5000+ 42.8 грн
Мінімальне замовлення: 96
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 5255spd04n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SPD04N80C3ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній