SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPB80P06PGATMA1 за ціною від 125.31 грн до 390.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V |
на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-2 |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SPB80P06PGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SPB80P06PGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |