![SPD04P10PLGBTMA1 SPD04P10PLGBTMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/7/6/0/24/27/617/smn_/manual/3to-252.jpg)
SPD04P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD04P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4.2 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPD04P10PLGBTMA1 за ціною від 22.11 грн до 73.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A On-state resistance: 0.85Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPD04P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 38W; PG-TO252-3 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A On-state resistance: 0.85Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |