![SPB20N60S5 SPB20N60S5](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_263_AC_3_SPL.jpg)
SPB20N60S5 Infineon Technologies
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 396.06 грн |
10+ | 362.92 грн |
25+ | 298.01 грн |
100+ | 255.84 грн |
250+ | 241.08 грн |
500+ | 227.73 грн |
1000+ | 182.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPB20N60S5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції SPB20N60S5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPB20N60S5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
SPB20N60S5 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |