SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPD15P10PLGBTMA1 за ціною від 57.98 грн до 161.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1082500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1082500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 7504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2 |
на замовлення 9285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3 Power dissipation: 128W Case: PG-TO252-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.14 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 15A; 128W; -55°C ~ 175°C; SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PL G TSPD15p10pl кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SPD15P10PLGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |