![SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/49/5/485863/smn_/manual/sot23.jpg_472149771.jpg)
SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SMBTA42E6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBTA42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 360 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 70MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SMBTA42E6327HTSA1 за ціною від 2.69 грн до 41.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 65365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 360 mW |
на замовлення 22667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 70MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 65365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: bipolar Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.36W кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SMBTA42E6327HTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: bipolar Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.36W |
товар відсутній |