Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140816) > Сторінка 1651 з 2347

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1646 1647 1648 1649 1650 1651 1652 1653 1654 1655 1656 1872 2106 2340 2347  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.56 грн
11+ 26.8 грн
84+ 12.17 грн
231+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.65 грн
41+ 24.77 грн
113+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN8601 ONSEMI fdn8601-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN86265P ONSEMI fdn86265p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP030N06 ONSEMI fdp030n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 ONSEMI fdp038an06a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+298.54 грн
3+ 259 грн
6+ 199.88 грн
15+ 188.58 грн
250+ 185.1 грн
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 ONSEMI fdh047an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.98 грн
3+ 228.32 грн
6+ 174.67 грн
17+ 165.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08-F102 FDP047N08-F102 ONSEMI fdp047n08jp-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.47 грн
3+ 171.46 грн
8+ 131.22 грн
22+ 124.27 грн
250+ 119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 ONSEMI FDB050AN06A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 11mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.84 грн
3+ 203.95 грн
7+ 150.34 грн
19+ 142.52 грн
250+ 139.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 ONSEMI FDP075N15A-F102.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+597.08 грн
3+ 402.49 грн
8+ 366.73 грн
FDP083N15A-F102 FDP083N15A-F102 ONSEMI fdp083n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.73 грн
4+ 274.34 грн
11+ 249.41 грн
100+ 248.54 грн
250+ 238.98 грн
FDP16AN08A0 FDP16AN08A0 ONSEMI FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP18N50 FDP18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.67 грн
3+ 194.93 грн
8+ 143.39 грн
20+ 135.57 грн
250+ 130.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50F FDP20N50F ONSEMI ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP22N50N FDP22N50N ONSEMI FDP22N50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+289.18 грн
6+ 202.15 грн
15+ 184.23 грн
250+ 177.28 грн
FDP2532 FDP2532 ONSEMI FDX2532-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+285.44 грн
6+ 202.15 грн
15+ 184.23 грн
500+ 179.89 грн
FDP2552 FDP2552 ONSEMI fdp2552-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhanced
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2572 FDP2572 ONSEMI FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2614 FDP2614 ONSEMI fdp2614-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.13 грн
3+ 340.22 грн
4+ 261.58 грн
11+ 246.8 грн
250+ 238.11 грн
FDP26N40 ONSEMI fdp26n40-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2710 FDP2710 ONSEMI fdp2710-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31.3A
On-state resistance: 36.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Case: TO220-3
Gate charge: 78nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.07 грн
5+ 229.22 грн
13+ 209.43 грн
100+ 200.74 грн
FDP2D3N10C FDP2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP33N25 FDP33N25 ONSEMI fdp33n25-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.35 грн
10+ 127.24 грн
11+ 99.07 грн
29+ 93.85 грн
250+ 90.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3632 FDP3632 ONSEMI FDB3632.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+285.44 грн
3+ 248.17 грн
6+ 183.36 грн
16+ 172.94 грн
FDP3651U FDP3651U ONSEMI FDP3651U.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
FDP3652 ONSEMI fdp3652-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP3672 ONSEMI fdp3672-d.pdf FDP3672 THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3682 FDP3682 ONSEMI fdp3682-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+143.19 грн
3+ 126.34 грн
10+ 107.76 грн
12+ 91.25 грн
31+ 86.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0 ONSEMI FDP42AN15A0.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.79 грн
9+ 128.15 грн
23+ 116.45 грн
250+ 114.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP51N25 FDP51N25 ONSEMI fdpf51n25rdtu-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP52N20 FDP52N20 ONSEMI FDP52N20, FDPF52N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.11 грн
9+ 119.12 грн
25+ 108.63 грн
500+ 104.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP7030BL ONSEMI FAIRS34662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP75N08A FDP75N08A ONSEMI fdp75n08a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP80N06 FDP80N06 ONSEMI fdp80n06-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8447L FDP8447L ONSEMI fdp8447l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 13.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8860 FDP8860 ONSEMI fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 254W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 556A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8880 FDP8880 ONSEMI FDP8880-D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF12N50T FDPF12N50T ONSEMI FDP12N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.1 грн
3+ 138.07 грн
10+ 101.68 грн
28+ 96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N60NZ FDPF12N60NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.78 грн
10+ 115.51 грн
25+ 105.15 грн
100+ 104.28 грн
500+ 100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF14N30 FDPF14N30 ONSEMI FDPF14N30.pdf FAIRS46309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF15N65 FDPF15N65 ONSEMI Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50 FDPF16N50 ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50T FDPF16N50T ONSEMI fdpf16n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF18N50 FDPF18N50 ONSEMI FDP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.56 грн
3+ 220.2 грн
7+ 162.51 грн
18+ 153.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF18N50T FDPF18N50T ONSEMI FAIRS46528-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+281.7 грн
3+ 244.56 грн
6+ 180.76 грн
16+ 170.33 грн
FDPF190N15A FDPF190N15A ONSEMI fdpf190n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17.4A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF20N50FT FDPF20N50FT ONSEMI FDPF20N50FT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.59 грн
3+ 232.83 грн
6+ 172.07 грн
17+ 162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF20N50T FDPF20N50T ONSEMI fdpf20n50t-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF2D3N10C FDPF2D3N10C ONSEMI fdp2d3n10c-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF320N06L FDPF320N06L ONSEMI fdpf320n06l-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF3860T FDPF3860T ONSEMI FDPF3860T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.7A
Power dissipation: 33.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI fdpf390n15a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.12 грн
10+ 101.68 грн
12+ 92.12 грн
31+ 86.9 грн
250+ 84.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF39N20 FDPF39N20 ONSEMI FDPF39N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF3N50NZ ONSEMI ONSM-S-A0003584319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25 ONSEMI FDPF51N25.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.46 грн
3+ 145.29 грн
10+ 108.63 грн
26+ 102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF55N06 FDPF55N06 ONSEMI fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+140.38 грн
10+ 120.03 грн
12+ 90.38 грн
31+ 86.03 грн
100+ 85.16 грн
250+ 82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS2572 FDS2572 ONSEMI FDS2572.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Case: SO8
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.15 грн
5+ 112.81 грн
13+ 82.56 грн
34+ 78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2582 FDS2582 ONSEMI FDS2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.97 грн
5+ 74 грн
19+ 55.62 грн
51+ 52.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDN5630 FDN5630.pdf
FDN5630
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.56 грн
11+ 26.8 грн
84+ 12.17 грн
231+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.65 грн
41+ 24.77 грн
113+ 23.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN8601 fdn8601-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN86265P fdn86265p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.8A
Power dissipation: 1.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP030N06 fdp030n06-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 138A; 205W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 138A
Power dissipation: 205W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+298.54 грн
3+ 259 грн
6+ 199.88 грн
15+ 188.58 грн
250+ 185.1 грн
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 310W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.98 грн
3+ 228.32 грн
6+ 174.67 грн
17+ 165.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP047N08-F102 fdp047n08jp-d.pdf
FDP047N08-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 116A; Idm: 656A; 168W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 168W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.47 грн
3+ 171.46 грн
8+ 131.22 грн
22+ 124.27 грн
250+ 119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP050AN06A0 FDB050AN06A0.pdf
FDP050AN06A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220AB
Technology: PowerTrench®
Case: TO220AB
Mounting: THT
On-state resistance: 11mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 245W
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP060AN08A0 fdp060an08a0-d.pdf
FDP060AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.84 грн
3+ 203.95 грн
7+ 150.34 грн
19+ 142.52 грн
250+ 139.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102.pdf
FDP075N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 92A; 333W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 92A
Power dissipation: 333W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+597.08 грн
3+ 402.49 грн
8+ 366.73 грн
FDP083N15A-F102 fdp083n15a-d.pdf
FDP083N15A-F102
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 294W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 294W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.73 грн
4+ 274.34 грн
11+ 249.41 грн
100+ 248.54 грн
250+ 238.98 грн
FDP16AN08A0 FAIRS45681-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP16AN08A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 44A; 135W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 44A
Power dissipation: 135W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP18N50 FDP18N50.pdf
FDP18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.67 грн
3+ 194.93 грн
8+ 143.39 грн
20+ 135.57 грн
250+ 130.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP20N50F ONSM-S-A0003584205-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP20N50F
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP22N50N FDP22N50N.pdf
FDP22N50N
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13.2A; 312.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13.2A
Power dissipation: 312.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.18 грн
6+ 202.15 грн
15+ 184.23 грн
250+ 177.28 грн
FDP2532 FDX2532-DTE.pdf
FDP2532
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 107nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Drain current: 56A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+285.44 грн
6+ 202.15 грн
15+ 184.23 грн
500+ 179.89 грн
FDP2552 fdp2552-d.pdf
FDP2552
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhanced
Drain current: 26A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2572 FAIRS45683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP2572
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 135W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2614 fdp2614-d.pdf
FDP2614
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.13 грн
3+ 340.22 грн
4+ 261.58 грн
11+ 246.8 грн
250+ 238.11 грн
FDP26N40 fdp26n40-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 15.6A; 265W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 265W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP2710 fdp2710-d.pdf
FDP2710
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31.3A; 260W; TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 31.3A
On-state resistance: 36.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Case: TO220-3
Gate charge: 78nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.07 грн
5+ 229.22 грн
13+ 209.43 грн
100+ 200.74 грн
FDP2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDP2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP33N25 fdp33n25-d.pdf
FDP33N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 20.4A; Idm: 132A; 235W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 235W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 94mΩ
Kind of channel: enhanced
Drain current: 20.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 132A
Drain-source voltage: 250V
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.35 грн
10+ 127.24 грн
11+ 99.07 грн
29+ 93.85 грн
250+ 90.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP3632 FDB3632.pdf
FDP3632
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 310W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 310W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+285.44 грн
3+ 248.17 грн
6+ 183.36 грн
16+ 172.94 грн
FDP3651U FDP3651U.pdf
FDP3651U
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
FDP3652 fdp3652-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP3672 fdp3672-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDP3672 THT N channel transistors
товар відсутній
FDP3682 fdp3682-d.pdf
FDP3682
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 95W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.19 грн
3+ 126.34 грн
10+ 107.76 грн
12+ 91.25 грн
31+ 86.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP42AN15A0 FDP42AN15A0.pdf
FDP42AN15A0
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.79 грн
9+ 128.15 грн
23+ 116.45 грн
250+ 114.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP51N25 fdpf51n25rdtu-d.pdf
FDP51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 320W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 320W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP52N20 FDP52N20, FDPF52N20T.pdf
FDP52N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 357W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.11 грн
9+ 119.12 грн
25+ 108.63 грн
500+ 104.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP7030BL FAIRS34662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP75N08A fdp75n08a-d.pdf
FDP75N08A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 300A; 137W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 137W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP80N06 fdp80n06-d.pdf
FDP80N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 65A; Idm: 320A; 176W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 176W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8447L fdp8447l-d.pdf
FDP8447L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 49nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
On-state resistance: 13.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8860 fdp8860-d.pdf FAIRS24307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP8860
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 556A; 254W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 254W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 222nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 556A
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8880 FDP8880-D.pdf
FDP8880
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 48A; 55W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 48A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDP8N50NZ ONSM-S-A0003584403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 130W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF12N50T FDP12N50.pdf
FDPF12N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.1 грн
3+ 138.07 грн
10+ 101.68 грн
28+ 96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF12N60NZ ONSM-S-A0003584576-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF12N60NZ
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 240W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 240W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.78 грн
10+ 115.51 грн
25+ 105.15 грн
100+ 104.28 грн
500+ 100.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF14N30 FDPF14N30.pdf FAIRS46309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF14N30
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 8.4A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 0.29Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.5A; Idm: 60A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50 fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF16N50T fdpf16n50t-d.pdf
FDPF16N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.6A; Idm: 64A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF18N50 FDP18N50.pdf
FDPF18N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.56 грн
3+ 220.2 грн
7+ 162.51 грн
18+ 153.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF18N50T FAIRS46528-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF18N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+281.7 грн
3+ 244.56 грн
6+ 180.76 грн
16+ 170.33 грн
FDPF190N15A fdpf190n15a-d.pdf
FDPF190N15A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17.4A; Idm: 110A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17.4A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF20N50FT FDPF20N50FT.pdf
FDPF20N50FT
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.59 грн
3+ 232.83 грн
6+ 172.07 грн
17+ 162.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF20N50T fdpf20n50t-d.pdf
FDPF20N50T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; Idm: 80A; 38.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS; UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.9A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 59.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF2D3N10C fdp2d3n10c-d.pdf
FDPF2D3N10C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 45W; TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 157A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 152nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 888A
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF320N06L fdpf320n06l-d.pdf
FDPF320N06L
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 84A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF3860T FDPF3860T.pdf
FDPF3860T
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.7A; 33.8W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12.7A
Power dissipation: 33.8W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF390N15A fdpf390n15a-d.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; Idm: 60A; 22W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.12 грн
10+ 101.68 грн
12+ 92.12 грн
31+ 86.9 грн
250+ 84.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF39N20 FDPF39N20.pdf
FDPF39N20
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 23.4A; 37W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 23.4A
On-state resistance: 66mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: UniFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF3N50NZ ONSM-S-A0003584319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
FDPF3N50NZ-ONS THT N channel transistors
товар відсутній
FDPF51N25 FDPF51N25.pdf
FDPF51N25
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 70nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.46 грн
3+ 145.29 грн
10+ 108.63 грн
26+ 102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF55N06 fdpf55n06-d.pdf FAIRS45691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDPF55N06
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.8A; Idm: 220A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.8A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+140.38 грн
10+ 120.03 грн
12+ 90.38 грн
31+ 86.03 грн
100+ 85.16 грн
250+ 82.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS2572 FDS2572.pdf
FDS2572
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.1A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Case: SO8
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.15 грн
5+ 112.81 грн
13+ 82.56 грн
34+ 78.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS2582 FDS2582.pdf
FDS2582
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 146mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.97 грн
5+ 74 грн
19+ 55.62 грн
51+ 52.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1646 1647 1648 1649 1650 1651 1652 1653 1654 1655 1656 1872 2106 2340 2347  [ Наступна Сторінка >> ]