![FDP060AN08A0 FDP060AN08A0](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/261_TO-220-3.jpg)
FDP060AN08A0 onsemi
![fdp060an08a0-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 11656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.28 грн |
50+ | 149.82 грн |
100+ | 128.43 грн |
500+ | 107.13 грн |
1000+ | 91.73 грн |
2000+ | 86.38 грн |
5000+ | 81.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP060AN08A0 onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 88.99 грн до 235.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP060AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP060AN08A0 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP060AN08A0 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 255W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDP060AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDP060AN08A0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |