Продукція > ONSEMI > FDP060AN08A0
FDP060AN08A0

FDP060AN08A0 onsemi


fdp060an08a0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
на замовлення 11656 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.28 грн
50+ 149.82 грн
100+ 128.43 грн
500+ 107.13 грн
1000+ 91.73 грн
2000+ 86.38 грн
5000+ 81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP060AN08A0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 255W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDP060AN08A0 за ціною від 88.99 грн до 235.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.53 грн
3+ 163.67 грн
7+ 125.28 грн
19+ 118.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : onsemi / Fairchild FDP060AN08A0_D-2312719.pdf MOSFETs 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.13 грн
10+ 201.47 грн
50+ 145.3 грн
100+ 124.44 грн
250+ 123.75 грн
500+ 100.81 грн
800+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ONSEMI fdp060an08a0-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.84 грн
3+ 203.95 грн
7+ 150.34 грн
19+ 142.52 грн
250+ 139.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ON Semiconductor fdp060an08a0jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP060AN08A0 FDP060AN08A0 Виробник : ON Semiconductor fdp060an08a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній