![FDP2572 FDP2572](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/fee66d5bbefbe47bcf90d79e914b9a646481854f/cs-5203a.jpg)
FDP2572 ON Semiconductor
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 152.4 грн |
100+ | 121.9 грн |
500+ | 99.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP2572 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDP2572 за ціною від 69.69 грн до 169.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDP2572 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDP2572 | Виробник : FAIRCHIL |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDP2572 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Kind of package: tube Case: TO220AB Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
FDP2572 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 20A; 135W; TO220AB Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Kind of package: tube Case: TO220AB Gate charge: 34nC Kind of channel: enhanced Drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 135W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |